型号：UPM2A390MPD6
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-8.8A
　　导通电阻RDS(on) Max：47mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on) Max：60mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：典型值 520pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：典型值 180pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 14ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini (S-MPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　极性：P-Channel
　　功耗（Ptot）：1.5W @ TC=25°C

UPM2A390MPD6具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高效的开关能力结合。在VGS = -4.5V时，RDS(on)仅为47mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。即使在较低的驱动电压如-2.5V条件下，其RDS(on)也仅上升至60mΩ，说明该器件对逻辑电平信号有良好的兼容性，能够直接由3.3V或甚至更低电压的控制器驱动而无需额外的电平转换电路，简化了电源架构设计。这种特性特别适用于移动设备中常见的低压控制场景，例如智能手机、平板电脑或可穿戴设备中的电源路径管理。
　　Trench MOS工艺的应用使得该器件在单位面积内实现了更高的载流子迁移效率，从而在小型封装中提供较大的电流承载能力。其最大连续漏极电流达到-4.4A，足以应对大多数中等功率负载切换需求。同时，高达-8.8A的脉冲电流能力使其能够在瞬态负载变化时保持稳定输出，避免因电流冲击导致的系统崩溃或电压跌落。
　　该器件还具备优良的电容特性，输入电容（Ciss）仅为520pF，输出电容（Coss）为180pF，在高频开关应用中可减少驱动损耗并加快开关速度，降低开关过程中的能量浪费。反向恢复时间（trr）为14ns，表明体二极管具有较快的关断速度，有助于减少交叉导通风险，提高同步整流或半桥拓扑中的效率表现。
　　S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.9mm x 2.3mm），而且具有良好的散热性能，通过底部导热焊盘可将热量有效传导至PCB，增强热管理能力。该封装支持回流焊工艺，适合SMT生产线自动化装配，提升制造效率。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗ESD能力和抗浪涌能力，提高了在复杂电磁环境下的可靠性。综合来看，UPM2A390MPD6是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的P沟道MOSFET，广泛适用于现代高效能、小型化电子系统的设计需求。

UPM2A390MPD6广泛应用于多种需要高效电源管理的电子系统中。其主要用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及USB端口电源切换等场景。在这些应用中，该器件能够快速接通或切断特定功能模块的电源，实现精细的功耗控制，从而延长电池续航时间。
　　此外，它也常用于DC-DC转换器电路中作为高端开关元件，特别是在降压（Buck）变换器或负压生成电路中发挥关键作用。由于其P沟道结构无需复杂的自举电路即可实现上桥臂驱动，相较于N沟道MOSFET在某些拓扑中更具设计简便性优势，因此被广泛采用于成本敏感且空间受限的应用场合。
　　在电池供电系统中，如蓝牙耳机、智能手表、电子书阅读器等，UPM2A390MPD6可用于电池充放电路径控制、电源多路复用（Power MUX）以及防止反向电流流动的防倒灌电路。其低导通电阻减少了能量损耗，有助于提升整个系统的能效等级。
　　工业控制领域的小型传感器模块、IoT节点设备以及无线通信模块中，该器件也被用来实现按需供电的“Always-On”电源策略，即主处理器休眠时关闭外围电路供电，唤醒后再重新加载，以此实现超低功耗运行。
　　另外，由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子中的非动力总成类低压系统，如车载信息娱乐系统的辅助电源管理、车内照明控制等。总之，UPM2A390MPD6凭借其小封装、高效率和高可靠性，成为众多中低功率电源开关应用的理想选择。

DMG2305U \ SMP23P02EL-7 \ SI2301DS-T1-E3 \ FDN340P \ ZXMP2003GTA