时间：2025/10/7 14:57:28
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UPM2A121MHD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的通用型P沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换器等低电压、中等电流的开关场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在确保高效开关性能的同时降低导通损耗。UPM2A121MHD封装于小型化的HSMT4（即DFN1006）封装中，尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.38mm，适用于对空间要求极为严苛的便携式电子设备，如智能手机、可穿戴设备、TWS耳机和物联网终端等。该MOSFET设计用于在低至2.5V的栅源电压下可靠工作，具备良好的逻辑电平兼容性，适合由低压微控制器直接驱动。此外，其高集成度和低热阻特性有助于提升系统整体的能效与可靠性，是现代微型化电子产品中理想的功率开关解决方案之一。
作为P沟道器件，UPM2A121MHD在关断时需要将栅极拉高至接近源极电压，在导通时则需将栅极拉低以形成反型层，从而实现电流从源极到漏极的流动。这种结构简化了驱动电路设计，尤其适用于高端开关应用，例如电池与负载之间的电源路径控制。ROHM在该产品中采用了环保材料和无铅焊接技术，符合RoHS和Green标准，支持回流焊工艺，便于自动化生产。器件还具备良好的抗静电能力（HBM模型），提升了在实际装配和使用过程中的鲁棒性。
型号：UPM2A121MHD
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.8A（@TC=75℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ（@VGS=-4.5V）
导通电阻（RDS(ON)）：140mΩ（@VGS=-2.5V）
栅极阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
栅极电荷（Qg）：典型值2.3nC（@VDS=-10V, ID=-1.8A）
输入电容（Ciss）：约220pF（@VDS=-10V, VGS=0V）
反向二极管正向电压（VSD）：-0.9V（@IS=-0.5A）
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：HSMT4（DFN1006）
安装类型：表面贴装（SMD）
UPM2A121MHD具备出色的导通性能和快速开关响应能力，其核心优势在于低导通电阻与低栅极电荷的协同优化。在VGS=-4.5V条件下，RDS(ON)仅为120mΩ，而在更低的逻辑电平驱动电压VGS=-2.5V下仍能保持140mΩ的低阻值，这使其在电池供电设备中能够显著减少导通损耗，提升系统效率。由于其P沟道结构，该器件特别适用于高端开关配置，无需复杂的电平移位或自举电路即可实现电源通断控制，简化了电源管理模块的设计复杂度。此外，低至-0.6V的栅极阈值电压确保了器件在低电压环境下仍能可靠开启，增强了在宽输入电压范围内的适应能力。
该MOSFET采用ROHM专有的沟槽栅技术，有效提升了单位面积的载流能力，同时通过优化单元布局降低了寄生参数，提高了开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。其小型HSMT4封装不仅节省PCB空间，还具有较低的热阻（θJC约40°C/W），有助于热量从芯片传导至PCB，提升散热效率。器件还具备良好的抗噪声能力和稳定的电气特性，能够在高频开关环境中稳定运行。内置的体二极管具有较低的正向压降（-0.9V @ -0.5A），在反向电流路径中表现出色，适用于需要续流或反向保护的应用场景。此外，UPM2A121MHD经过严格的质量认证，具备高可靠性和长寿命，适合工业级和消费级应用。其无铅、无卤素的环保设计也符合现代电子产品对可持续发展的要求。
UPM2A121MHD广泛应用于各类小型化、低功耗电子设备中，特别是在需要高效电源开关控制的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关，用于控制显示屏、摄像头模组、传感器等外设的供电通断，以实现节能和延长电池续航。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电路径的切换，防止反向电流流入充电电路，提高系统安全性。此外，它也常用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关拓扑中，配合N沟道MOSFET构成完整的开关回路，提升转换效率。
在移动设备如智能手机和平板电脑中，UPM2A121MHD被用于电源多路复用器（Power MUX），实现主副电源之间的无缝切换，例如在USB供电与电池供电之间自动选择最优电源。其快速响应特性也使其适用于过流保护和热插拔电路，能够在故障发生时迅速切断负载，保护后级电路。在可穿戴设备和物联网节点中，由于其超小封装和低静态功耗，成为理想的电源门控元件。此外，该器件还可用于LED驱动电路中的开关控制、电机驱动中的低端或高端开关，以及各种需要P沟道MOSFET进行电压反转或电平控制的模拟和数字系统中。其高集成度和稳定性也使其适用于汽车电子中的低功率模块，如车载传感器电源管理或信息娱乐系统的辅助电源控制。
UPM2A121MHD-T1
DMG2302UK-7
AO8803
FDMC8878
Si2301DS
