电容值：820pF
　　容差：±20%
　　额定电压：1000V
　　温度特性：X7R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：陶瓷（X7R类）
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖
　　绝缘电阻：≥10000MΩ·μF
　　最大纹波电流：依据应用条件而定
　　老化率：≤2.5%每1000小时（X7R材质）
　　电容频率特性：随频率升高略有下降
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　 ESL（等效串联电感）：低，利于高频应用

UPM1K821MHD作为一款高压多层陶瓷电容器，具备出色的电压耐受能力和稳定的电学性能。其核心特性之一是高达1000V的额定电压，这使得它能够在高压电源电路中可靠运行，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和高压偏置电路中用作滤波或去耦元件。在高电压条件下，许多普通MLCC会出现电容值显著下降或击穿风险，而UPM1K821MHD通过优化介质层厚度和材料配方，确保在接近额定电压时仍能维持较好的电容稳定性和绝缘性能。
　　该器件采用X7R类陶瓷介质，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+125°C），在此区间内电容值的变化不超过±15%，适合在环境温度波动较大的工业或户外设备中使用。尽管X7R材料的温度稳定性略逊于C0G/NP0，但其更高的介电常数允许在相同体积下实现更大的电容值，因此在需要兼顾体积与性能的设计中更具优势。此外，X7R材质还具备较低的老化速率，通常每1000小时电容值减少不超过2.5%，有助于延长产品使用寿命。
　　UPM1K821MHD的1210封装（3.2mm x 2.5mm）在高压电容中属于紧凑型尺寸，便于在高密度PCB布局中集成。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构，提供良好的可焊性和抗迁移能力，有效防止银离子迁移导致的短路问题，提升长期可靠性。该电容器还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频噪声滤波和瞬态响应方面表现优异，适用于高速数字系统和射频前端电路中的去耦应用。
　　在机械和环境适应性方面，UPM1K821MHD经过严格的测试，包括耐焊接热循环、湿度敏感度等级（MSL）评估以及振动和冲击测试，确保其在回流焊工艺和复杂工作环境中保持结构完整性和电气性能稳定。此外，该器件符合RoHS指令，无铅且环保，适用于出口型电子产品和对环保要求较高的项目。

UPM1K821MHD高压陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高电压稳定性和可靠去耦能力的场合。在开关电源（SMPS）设计中，它常被用于初级侧的RC缓冲电路（Snubber Circuit）中，吸收变压器漏感引起的电压尖峰，保护功率开关管（如MOSFET或IGBT）免受过压损坏。其1000V的额定电压足以应对多数离线式电源的瞬态电压需求。
　　在DC-DC转换器模块中，UPM1K821MHD可用于输入和输出滤波网络，平滑电压波动并抑制高频噪声传播。由于其低ESR和良好高频特性，能够有效降低电源纹波，提高系统效率和稳定性。在高精度模拟电路中，如运算放大器偏置电路或ADC/DAC参考电压滤波，该电容器可作为旁路电容，消除高频干扰，确保信号完整性。
　　工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动器和工业传感器，也广泛采用此类高压MLCC。在这些应用中，UPM1K821MHD不仅承担电源去耦功能，还用于EMI滤波电路，帮助设备通过电磁兼容性（EMC）认证。此外，在医疗电子设备（如超声成像仪、监护仪）中，由于对安全性和可靠性要求极高，该电容器的高绝缘电阻和长期稳定性使其成为优选元件。
　　在消费类高端电子产品中，如大功率LED照明驱动、快充适配器和智能家居网关，UPM1K821MHD同样发挥重要作用。其小型化封装有助于缩小产品体积，同时保证在高温高湿环境下长期工作的可靠性。此外，通信基础设施设备，如基站电源模块和光模块内部电路，也会使用此类高压电容进行信号耦合和电源滤波，确保数据传输的稳定性。