时间：2025/10/7 3:17:21
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UPM1K6R8MDD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装型多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高性能电容产品线，专为在高电压、高温及高可靠性要求的应用中稳定工作而设计。UPM1K6R8MDD采用先进的陶瓷材料和制造工艺，确保了其在各种严苛环境下的电气性能和机械稳定性。该电容器广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、滤波电路、去耦应用以及高频信号处理等场景。其小型化封装使其非常适合空间受限的现代电子设备，如便携式电子产品、通信模块和工业控制系统。
这款电容器的命名遵循行业标准编码规则：'UPM'代表系列标识，'1K'表示额定电压等级（1000V），'6R8'表示标称电容值为6.8pF，'M'表示电容公差为±20%，'DD'通常代表特定的封装尺寸与端接类型。因此，UPM1K6R8MDD是一个额定电压高达1000V、容量为6.8pF、公差为±20%的高压MLCC器件，适用于需要耐高压和低损耗特性的射频和功率电路中。
电容值：6.8 pF
容差：±20%
额定电压：1000 VDC
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：0603（1608 公制）
介质材料：陶瓷
电介质类型：Class I, C0G/NP0
绝缘电阻：≥100 GΩ·μF
时间常数：≥10000 s
自谐振频率：典型值约 1.5 GHz
等效串联电阻（ESR）：极低
温度系数：0 ±30 ppm/°C
老化率：不适用（C0G 材料无老化效应）
UPM1K6R8MDD所采用的C0G（也称NP0）电介质材料是Class I类陶瓷中最稳定的类型之一，具有极其优异的温度稳定性和频率响应特性。其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）几乎保持恒定，温度系数仅为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度变化条件下，该电容器也能提供高度可预测和稳定的电性能。这种稳定性对于高频谐振电路、滤波器、定时电路和精密模拟电路至关重要，避免因电容漂移而导致系统失准或性能下降。
C0G材料还具备出色的非老化特性，即电容值不会随时间推移而发生显著衰减，这与X7R、Y5V等Class II/III材料不同。此外，该电容器的等效串联电阻（ESR）非常低，有助于减少高频应用中的能量损耗和发热，提高整体系统效率。同时，由于其高绝缘电阻（≥100GΩ·μF）和高时间常数，漏电流极小，适合用于高阻抗电路和长期储能需求场合。
该器件额定电压高达1000VDC，在0603小型封装内实现如此高的耐压能力，体现了先进的介电层堆叠技术和严格的生产工艺控制。这使得它能够在高压偏置、脉冲电路和射频功率放大器中安全可靠地运行。尽管体积小巧，但其机械结构经过优化，具备良好的抗热冲击和抗板弯能力，适合回流焊工艺，并能在振动和温度循环环境中保持长期可靠性。此外，该电容器符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于环保型电子产品制造。
UPM1K6R8MDD因其高压、高稳定性和高频特性，被广泛应用于对性能要求严苛的电子系统中。在射频（RF）电路中，它常用于匹配网络、LC谐振回路、滤波器和耦合/去耦节点，特别是在工作频率较高的通信设备（如基站、微波链路、无线收发模块）中表现出色。其C0G介质保证了频率选择性电路的精度和长期稳定性。
在电源系统中，该电容器可用于高压DC-DC转换器的反馈分压网络或栅极驱动电路中的定时元件，利用其高耐压能力和低漏电特性确保控制精度和系统安全性。在测试与测量仪器中，如示波器、信号发生器和频谱分析仪，UPM1K6R8MDD用于精密RC网络和参考电路，保障测量结果的准确性和重复性。
此外，该器件也适用于医疗电子设备、航空航天电子系统和工业自动化控制器等高可靠性领域。在这些应用中，元器件必须在长时间运行和复杂环境条件下保持性能不变，而UPM1K6R8MDD的稳定性与耐用性正好满足此类需求。同时，其小尺寸封装有利于高密度PCB布局，适应现代紧凑型设计趋势。
C3216JB1E680M114AA
GRM188R71H680KA01D
CL21A680JBANNNC
CC0603JRNPO9BN6R8
