UPM1K150MED 是一款由 Vishay Siliconix 生产的单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,旨在提供卓越的性能和高可靠性。该器件特别适用于需要高效能开关操作的应用场景,如电源转换、电机控制以及负载开关等。其封装形式为 PowerPAK SO-8L,具备优异的热性能,能够在紧凑的空间内实现高效的散热管理,非常适合对空间要求严格的便携式设备或高密度电路板设计。
该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 150V,连续漏极电流(ID)在室温下可达 9.3A,具备较低的导通电阻(RDS(on)),典型值在 10V 栅极驱动下约为 115mΩ,在 4.5V 下约为 145mΩ,表现出良好的低电压驱动能力。这使得它在中压应用中具有出色的效率表现,尤其是在同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统中广泛应用。此外,该器件还具备快速开关速度和低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高系统整体能效。
UPM1K150MED 还集成了多种保护特性,包括雪崩能量耐受能力和优秀的抗瞬态脉冲能力,增强了其在恶劣工作环境下的稳定性与耐用性。其符合 RoHS 标准,并通过了 AEC-Q101 认证,表明其适用于汽车级应用,能够在宽温度范围(-55°C 至 +150°C)内稳定运行。
型号:UPM1K150MED
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):150V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID)@25°C:9.3A
连续漏极电流(ID)@70°C:6.8A
脉冲漏极电流(IDM):37A
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V:115mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V:145mΩ
阈值电压(VGS(th))@ID=250μA:2.1V ~ 3.0V
输入电容(Ciss)@VDS=25V:520pF
输出电容(Coss)@VDS=25V:140pF
反向恢复时间(trr):28ns
栅极电荷(Qg)@VGS=10V, ID=9.3A:17nC
热阻结到外壳(RθJC):30°C/W
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
封装:PowerPAK SO-8L
UPM1K150MED 采用 Vishay 先进的沟槽工艺技术,实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其 RDS(on) 在 10V 和 4.5V 栅极驱动下分别仅为 115mΩ 和 145mΩ,这意味着即使在较低的驱动电压条件下也能保持较低的导通损耗,从而提升系统效率,特别是在电池供电设备或节能型电源系统中尤为关键。该器件的低栅极电荷(Qg = 17nC)进一步降低了驱动电路所需的功耗,同时加快了开关速度,减少了开关过程中的能量损耗,有助于实现高频操作而不会显著增加温升。
该 MOSFET 具备出色的热性能,得益于 PowerPAK SO-8L 封装的设计优化,其热阻结到外壳(RθJC)仅为 30°C/W,能够有效将芯片产生的热量传导至 PCB,配合适当的布局设计可实现良好的自然散热效果,避免额外使用散热片,从而节省成本和空间。这种封装还具有无铅、符合 RoHS 指令的特点,并且引脚兼容标准 SO-8 封装,便于升级替换现有设计中的传统器件。
器件的雪崩耐量经过严格测试,具备一定的非钳位感性开关(UIS)能力,能够在突发过压或电感负载断开时承受瞬时能量冲击而不损坏,提高了系统的鲁棒性。此外,其输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)较小,分别为 520pF 和 140pF,有利于减少高频噪声和振铃现象,提升电磁兼容性(EMC)表现。阈值电压范围适中(2.1V~3.0V),确保了可靠的开启控制,防止误触发。整体而言,这些特性使其成为中压功率开关应用的理想选择。
UPM1K150MED 广泛应用于各类中压直流电源系统中,尤其适合用于同步降压变换器(Buck Converter)中的高端或低端开关,能够在 12V 或 24V 系统中实现高效 DC-DC 转换,常见于工业电源模块、电信设备电源单元以及车载电子系统中。其高效率和小尺寸封装也使其成为便携式设备电源管理方案的重要组成部分,例如笔记本电脑适配器、USB-PD 快充模块以及移动储能设备中的电池充放电控制电路。
在电机驱动领域,该器件可用于中小型直流电机或步进电机的 H 桥驱动电路中,作为开关元件实现正反转控制和调速功能。由于其具备较高的脉冲电流承载能力(IDM = 37A),能够应对电机启动瞬间的大电流冲击,提升了驱动系统的可靠性和响应速度。此外,在电池管理系统(BMS)中,UPM1K150MED 可用作充放电控制开关,实现对锂电池组的安全管理和保护,防止过流、短路等异常情况导致的损坏。
由于该器件通过了 AEC-Q101 认证,因此也适用于汽车电子应用,如车身控制模块、车灯驱动、电动座椅调节、风扇控制等。其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)确保了在极端气候条件下的稳定运行。此外,还可用于逆变器、太阳能微逆系统、LED 驱动电源以及各种负载开关和热插拔电路中,展现出广泛的适用性和高可靠性。
SiHH1N150-E3
SUPA80P150E
FQP1N150