型号：UPM1C181MED
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：5.3A
　　栅源电压范围（VGS）：±12V
　　导通电阻 RDS(on) max：18mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻 RDS(on) max：22mΩ @ VGS=2.5V
　　导通电阻 RDS(on) max：27mΩ @ VGS=1.8V
　　阈值电压（Vth）：典型值 0.7V，范围 0.4V~1.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 360pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值 110pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 14ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：UMT3（SMT3）
　　安装方式：表面贴装

UPM1C181MED 采用了 ROHM 先进的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最关键的特性之一是在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，支持1.8V、2.5V和4.5V等多种驱动条件，特别适用于现代低电压逻辑控制环境下的高效开关操作。这使得它非常适合用于由微控制器GPIO直接驱动的负载开关或电源路径控制场合。
　　该器件具有非常低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提高整体转换效率，尤其在高频DC-DC变换器中表现突出。同时，较小的寄生电容也降低了电磁干扰（EMI）的风险，有利于满足严格的EMC设计要求。此外，其快速的开关速度和短的反向恢复时间有效抑制了体二极管反向恢复引起的电流尖峰，提升了系统的稳定性和可靠性。
　　UPM1C181MED 的热阻特性经过优化，能够在有限的PCB散热条件下长时间稳定工作。其表面贴装UMT3封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB布局进行散热管理。器件内部结构经过可靠性验证，具备较强的抗雪崩能力和耐压冲击能力，可在瞬态过压情况下维持正常功能。
　　另一个重要特点是其高度的一致性和批次稳定性，确保了大规模生产中的良率和系统一致性。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准（如适用），可拓展至汽车电子领域的次级电源管理应用。整体来看，UPM1C181MED 在性能、尺寸、功耗和可靠性之间达到了良好平衡，是一款面向未来高集成度电源系统设计的理想MOSFET器件。

UPM1C181MED 广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。其主要应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等设备中的电池供电切换与负载开关控制。在这些设备中，该MOSFET可用于实现不同功能模块的独立上电与断电，以达到节能和延长续航的目的。
　　在DC-DC降压或升压转换器中，UPM1C181MED 可作为同步整流开关使用，利用其低RDS(on)特性显著降低导通损耗，提升电源转换效率。尤其是在轻载和中等负载条件下，其快速开关响应能力有助于改善瞬态响应性能，增强输出电压稳定性。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路、LED驱动电源以及USB端口的过流保护与热插拔控制。在工业传感器、IoT节点设备和嵌入式控制系统中，UPM1C181MED 被用作电源域隔离开关，防止待机状态下不必要的漏电消耗。
　　由于其支持1.2V逻辑电平驱动，因此可以直接连接到现代低电压微处理器或FPGA的I/O引脚，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统架构并减少了外围元件数量。这种特性使其在高度集成的SoC系统中尤为受欢迎。
　　在汽车电子领域，虽然该型号并非主推车规型号，但在非关键性的车载辅助电源管理、信息娱乐系统电源切换等方面也有一定的应用潜力。总体而言，UPM1C181MED 凭借其高性能和小尺寸优势，已成为众多低电压、高效率电源设计中的核心开关元件之一。

DMG2305UX-7
　　AO3400A
　　FDS6670A
　　SI2301-DS