电容值：8200pF (8.2nF)
　　电容公差：±20%
　　额定电压：10V
　　温度特性：X7R 或 X5R（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸代码：可能为0805或0603（具体需查证）
　　介质材料：陶瓷
　　端接类型：镍阻挡层/锡覆盖（Ni-Sn）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值有所下降（典型MLCC行为）
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依频率而定
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100GΩ·μF（取较大者）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-56等标准
　　寿命可靠性：在额定条件下可长期稳定运行

UPM1A822MHD作为一种多层陶瓷电容器，具备优异的电性能与机械稳定性。其核心优势之一是采用了先进的陶瓷介质技术，通常使用X7R或X5R类电介质材料，这类材料具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值的变化率控制在±15%以内，确保了电路工作的可预测性和稳定性。这对于需要在不同环境温度下保持一致性能的应用至关重要，例如工业控制模块或汽车电子系统。
　　该电容器采用多层叠层结构设计，通过将多个陶瓷-金属电极交替堆叠形成平行板电容器阵列，从而在极小的封装体积内实现较高的有效电容值。这种结构不仅提升了单位体积的储能能力，还显著降低了等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和噪声滤波应用中表现出色。此外，由于其固有的低等效串联电阻（ESR），该器件在高频开关电源中的能量损耗较小，有助于提高整体电源效率并减少发热问题。
　　在可靠性方面，UPM1A822MHD经过严格的老化测试和环境应力筛选，具备出色的抗热冲击能力和耐焊接性，能够承受回流焊工艺中的高温峰值（通常可达260°C），且不会出现裂纹或性能退化。其端电极为三层电极结构（铜-镍-锡），提供了良好的可焊性和长期使用的抗氧化能力，适用于自动化SMT生产线。
　　该器件符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格要求。同时，其小型化封装适应了当前电子产品向轻薄短小发展的趋势，尤其适合空间受限的便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。尽管其标称电压仅为10V，限制了在高压场景下的使用，但在低压DC-DC转换器输出端的滤波、旁路和去耦应用中表现优异。

UPM1A822MHD主要应用于各类需要稳定电容性能和高可靠性的电子电路中。一个典型应用场景是在直流电源系统的去耦与旁路设计中，用于抑制集成电路（IC）工作时产生的高频噪声，防止这些噪声通过电源线传播影响其他电路模块。例如，在微处理器、FPGA或ASIC的供电引脚附近放置此类电容，可以有效平滑电压波动，提升系统稳定性。
　　在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波电路中，该电容器用于降低输出纹波电压，改善电源质量。其低ESR和低ESL特性使其特别适合高频开关电源拓扑（如Buck、Boost、Buck-Boost）中的滤波环节，能够在MHz级别的开关频率下仍保持良好的阻抗特性。
　　此外，该器件也常用于模拟信号链中的耦合与滤波电路，如音频放大器、传感器信号调理电路等，起到隔直通交、抑制干扰的作用。在消费类电子产品如智能手机、路由器、智能电视、蓝牙耳机中，UPM1A822MHD被广泛用于主板上的各种局部滤波节点。
　　在工业控制领域，它可用于PLC模块、人机界面（HMI）、电机驱动器的电源管理单元中，提供稳定的本地储能和瞬态响应支持。虽然其额定电压较低，不适用于高压母线滤波，但在低压数字逻辑电路和接口电路（如I2C、SPI总线）的信号完整性保障中仍发挥重要作用。

GRM21BR71A822KA01L
　　CL21A822MKHNNNC
　　C2012X7R1A822K