电容值：4700pF (4.7nF)
　　额定电压：100V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　尺寸封装：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：≤2.5mm
　　介质材料：陶瓷（X7R类）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 10000MΩ·μF（取较大值）
　　耐电压：150% 额定电压持续5秒无击穿
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（频率依赖）
　　自谐振频率（SRF）：约100MHz量级（具体依实际布局而定）

UPM1A472MHD采用X7R型陶瓷介质材料，具有优异的温度稳定性和时间稳定性，在-55°C到+125°C的宽温度范围内，电容值的变化不超过±15%，能够适应严苛的工作环境。这种材料体系相较于Z5U或Y5V等类别，在高温和低温条件下表现出更小的容量漂移，确保电路参数的一致性与可靠性。同时，X7R材质还具备较低的压电效应，减少了机械应力引起的噪声问题，特别适用于模拟前端和精密信号处理电路中的耦合与滤波应用。
　　该电容器使用多层结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质层实现高单位体积储能能力。内部电极为贵金属材料（如银钯合金）或镍基金属，具备良好的导电性和热匹配性，有效降低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升高频响应性能。在开关电源输出端进行去耦时，低ESR有助于减少纹波电压，提高系统效率；而在射频或高速数字电路中，低ESL则可延长自谐振频率（SRF），使其在更高频段仍保持电容行为而非感性。
　　UPM1A472MHD的1210（3225）封装形式在空间占用与焊接可靠性之间取得良好平衡，既适用于紧凑型PCB布局，又避免了过小封装带来的贴片良率下降问题。其端头采用三层电极结构（铜内电极/镍阻挡层/锡外镀层），提供优良的可焊性与抗迁移性能，防止潮湿环境下发生银离子迁移导致短路。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性测试标准，具备较强的抗热冲击、湿度和振动能力，适合用于汽车电子、工业控制等对耐久性要求较高的领域。
　　该型号支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程（最高峰值温度可达260°C，符合J-STD-020标准），适用于现代SMT生产线。其电气性能在长时间工作下保持稳定，老化速率低，年容量衰减通常小于2%-3%。整体设计兼顾了高电压耐受能力（100V）、适中容量（4.7nF）与小型化需求，是中高压滤波与耦合电路的理想选择之一。

UPM1A472MHD因其100V额定电压和4.7nF的电容值，常被用于中高压直流电路中的滤波与去耦设计。例如，在AC-DC或DC-DC开关电源模块中，它可用于初级侧或次级侧的输入/输出滤波网络，有效抑制高频噪声和电压波动，提升电源输出质量。其低等效串联电阻（ESR）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率，尤其适用于反激式、正激式或LLC谐振拓扑结构的电源设计。
　　在工业控制系统中，该电容可用于PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等设备的信号调理电路，作为RC滤波元件或跨接在光耦隔离器两端以抑制瞬态干扰。其宽温特性和高绝缘电阻保障了在恶劣工业环境下的长期稳定运行。
　　在消费类电子产品方面，UPM1A472MHD常见于电视、机顶盒、路由器、充电器等设备的主板电源轨上，执行局部去耦功能，防止高频数字信号对模拟部分造成干扰。此外，在LED照明驱动电路中，该电容可用于电流采样电阻旁路或EMI滤波环节，帮助满足电磁兼容性标准。
　　由于其具备一定的耐压能力和稳定性，也可用于音频放大器的耦合电容、传感器信号调理电路以及汽车电子中的辅助电源滤波。虽然并非专为高频RF设计，但在数百MHz以下的应用中仍能发挥良好性能。总体而言，该器件适用于需要中等容量、百伏级耐压、表面贴装且可靠性高的多种电子系统场景。

C3225X7R1H472M