时间：2025/12/27 8:52:08
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UPG22N60是一款由士兰微电子（Silan Microelectronics）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等高效率功率转换场合。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。其额定电压为600V，最大连续漏极电流可达22A（在25°C下），适合在高温和高电压环境下稳定工作。UPG22N60通常采用TO-220或TO-220F封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，能够满足工业级应用的可靠性要求。该MOSFET的设计优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色，同时降低了系统整体功耗。此外，器件内部集成了快速恢复体二极管，有助于提升在感性负载应用中的性能表现。由于其优异的电气特性和成本优势，UPG22N60常被用于替代国际品牌同类产品，在国产化替代趋势中占据重要地位。
型号：UPG22N60
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：600V
栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V @ 250μA
漏极连续电流（ID）：22A @ 25°C
漏极脉冲电流（IDM）：88A
导通电阻（RDS(on)）：0.19Ω @ VGS=10V, ID=11A
栅源电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：200W @ 25°C
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220/TO-220F
UPG22N60的核心优势在于其出色的导通与开关性能的综合表现。首先，该器件采用了优化的平面栅结构和高掺杂浓度的外延层设计，显著降低了单位面积的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。在实际应用中，当栅极驱动电压达到10V时，其典型导通电阻仅为0.19Ω，能够在大电流条件下保持较低的温升，延长器件寿命并提高系统可靠性。其次，UPG22N60具备优异的开关特性，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过精心设计，在高频开关应用中可有效降低驱动损耗和开关瞬态应力。这使得它特别适用于工作频率较高的AC-DC适配器、LED恒流电源及光伏逆变器等场景。
此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力和过载承受能力。器件在设计过程中充分考虑了非钳位感性开关（UIS）条件下的安全工作区（SOA），确保在突发短路或负载突变情况下仍能维持稳定运行。其高达150°C的最大结温允许在恶劣环境温度下长期工作，配合良好的散热设计可进一步提升功率处理能力。UPG22N60还具备良好的热稳定性，避免了热失控现象的发生。其正温度系数的导通电阻特性有助于多管并联使用时的电流均衡分配，提升了系统的扩展性和灵活性。最后，该器件通过了多项国际标准认证，符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于自动化生产线的大规模组装。
UPG22N60广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能、小体积和高可靠性的场合。其最常见的应用领域包括通用AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD电视电源模块等，凭借其600V耐压等级和22A大电流能力，能够胜任PFC（功率因数校正）电路和主开关管的角色。在离线式反激变换器（Flyback Converter）和正激变换器（Forward Converter）中，UPG22N60可作为主控开关元件，实现高效的能量传递和稳定的输出调节。
此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在太阳能逆变器、电动自行车控制器和UPS不间断电源等设备中发挥关键作用。在这些应用中，UPG22N60不仅承担着能量转换的核心任务，还需应对复杂的电磁干扰和瞬态电压冲击，因此其坚固的结构设计和稳定的电气性能显得尤为重要。在工业控制领域，该MOSFET可用于中小功率电机驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。同时，由于其具备快速响应能力和低延迟特性，也可用于高频感应加热设备、电子镇流器和激光电源等特种电源系统。总之，UPG22N60以其宽泛的应用适应性和出色的性价比，已成为众多电源工程师在进行产品设计时的重要选择之一。
STP22NM60N, FQP22N60, K22N60, G22N60
