型号：UPG15N120
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压（BVDSS）：1200V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：4.0V ~ 6.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 1.0Ω @ VGS=15V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60A
　　最大耗散功率（PD）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　输入电容（Ciss）：约3500pF
　　输出电容（Coss）：约85pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值120ns
　　栅极电荷（Qg）：约160nC
　　封装形式：TO-247

UPG15N120具备优异的高压耐受能力，其1200V的漏源击穿电压使其能够在极端高压环境下稳定工作，适用于高压直流输电、太阳能逆变系统及工业级电源模块。这一高耐压特性确保了器件在面对电网波动或雷击浪涌等异常情况时仍能保持正常运行，提升了系统的安全性和可靠性。同时，该MOSFET采用了优化的漂移区设计，有效控制了电场分布，避免局部击穿，延长了使用寿命。
　　该器件具有较低的导通电阻（Rds(on) ≤ 1.0Ω），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能量转换效率。在大电流应用场景中，低Rds(on)意味着更小的发热，有助于减少散热器尺寸和系统整体成本。此外，结合其高达15A的连续漏极电流能力，UPG15N120可支持高功率密度设计，满足紧凑型电源设备的需求。
　　UPG15N120拥有良好的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg ≈ 160nC）和输入电容（Ciss ≈ 3500pF），使得其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动损耗并简化了驱动设计。其反向恢复时间较短（trr ≈ 120ns），减少了体二极管反向恢复过程中产生的尖峰电流和电磁干扰，提升了系统EMI性能。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有优良的热传导性能，便于安装散热片以实现高效散热。其宽泛的工作结温范围（-55℃ ~ +150℃）使其可在恶劣环境温度下可靠运行，适用于户外设备或高温工业现场。此外，器件具备一定的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中承受瞬时能量冲击，增强了鲁棒性。

UPG15N120广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。常见于单端反激、双端推挽、半桥和全桥拓扑结构的开关电源中，作为主开关器件使用，特别适合用于1kW以上的高功率AC-DC或DC-DC转换器。在光伏逆变器系统中，该MOSFET可用于直流侧升压电路（Boost Converter），将太阳能板输出的低压直流电升压至适合逆变的高压水平，其高耐压和低损耗特性有助于提高整体光电转换效率。
　　在电动汽车充电设备中，UPG15N120可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的功率级电路，承担能量传输与电压调节功能。其快速开关能力和高可靠性有助于实现高效的电能转换和稳定的充电过程。此外，在UPS不间断电源和通信电源系统中，该器件也常用于DC-AC逆变环节，提供稳定的正弦波输出。
　　工业领域中，UPG15N120适用于感应加热设备、电焊机、电机驱动器等需要高电压开关动作的装置。其强健的结构设计和良好的热管理能力使其能在长时间满负荷运行条件下保持性能稳定。同时，由于其具备较强的抗干扰能力和耐压能力，也可用于高压照明系统（如HID灯镇流器）和特种电源设备中，满足严苛工况下的应用需求。

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