类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：80V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：300A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值）
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

UPF1080P具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，UPF1080P具有较高的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定运行，适用于紧凑型电源设计。
　　其栅极设计具有良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下也能可靠工作。
　　该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，可在极端条件下提供一定程度的保护，提高系统可靠性。
　　UPF1080P采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高功率应用场合。

UPF1080P广泛应用于各类高功率密度和高效率要求的电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制设备。
　　在电动汽车和储能系统中，该MOSFET可用于电池充放电管理电路和逆变器模块。
　　此外，UPF1080P也适用于大功率LED照明驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器等新能源相关应用。
　　由于其优异的热性能和高电流承载能力，也常被用于服务器电源、通信设备电源模块以及高性能计算设备的供电系统。

SiHF1080E、IRF1080S、FDP1080N、IPB108N10N3G1