UPD485505G-35 时间：2025/7/17 21:07:31 阅读：14

UPD485505G-35 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速异步SRAM系列，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景，如网络设备、工业控制系统、通信模块以及嵌入式系统中的缓存或临时存储器。这款SRAM芯片采用CMOS工艺制造，提供低功耗操作和优异的稳定性。

参数

容量：1Mbit（128K x 8位）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：35ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　组织结构：x8位宽
　　读写模式：异步

特性

UPD485505G-35具备多项优良特性，确保其在各种应用环境下的稳定性和性能表现。
　　首先，其高速访问时间为35纳秒（ns），能够在高频环境下实现快速数据读写操作，满足对实时性要求较高的系统需求。此外，该器件支持异步操作，无需依赖外部时钟信号，简化了接口设计并降低了系统复杂度。
　　其次，该SRAM使用3.3V单电源供电，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗水平。这使得它非常适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。同时，其CMOS制造工艺也提供了良好的抗干扰能力，增强了器件的可靠性。
　　在物理封装方面，UPD485505G-35采用54引脚TSOP（薄型小外形封装）设计，具有较小的体积和较好的散热性能，适合空间受限的PCB布局。其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、自动化设备及车载系统等应用场景。
　　此外，该SRAM的x8位宽组织结构使其能够轻松集成到8位数据总线系统中，广泛应用于各类嵌入式系统和外围扩展存储器配置中。

应用

UPD485505G-35 主要用于需要高速数据访问和稳定存储性能的场合。典型应用包括网络路由器和交换机的缓存、工业控制器的数据缓冲、医疗设备的数据采集与处理单元、通信基站中的临时存储器、消费类电子产品中的图像缓存等。
　　由于其低功耗和高速特性，这款SRAM也非常适合用作数字信号处理器（DSP）、微控制器（MCU）和现场可编程门阵列（FPGA）的辅助存储器。在需要快速响应和数据暂存的场景中，例如视频处理模块、打印机内存扩展、POS终端设备等，也能发挥出色的性能表现。