类型：双通道肖特基势垒二极管
　　极性：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流反向电压（VR）：100V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：2x1A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：0.58V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 100V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 2ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：UMD2（SC-74）
　　引脚数：3
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UPB2W100MHD的核心特性之一是其采用肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒实现单向导电功能，相比传统的PN结二极管，肖特基二极管在正向导通时具有更低的电压降，通常在0.3V至0.6V之间。本器件在1A电流下的典型正向压降仅为0.58V，显著降低了导通损耗，提升了电源转换效率。这一特性使其非常适合用于低电压、大电流输出的DC-DC变换器中作为整流或续流元件。
　　另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr）。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子的储存效应，因此其反向恢复过程非常迅速，通常在纳秒级别。UPB2W100MHD的trr典型值小于2ns，远低于传统快恢复二极管，这使得它能够在高频开关环境下有效抑制反向恢复引起的电流尖峰和电磁干扰（EMI），从而提升系统的稳定性和可靠性。
　　该器件还具备良好的热性能和稳定性。其最大工作结温可达+150°C，可在高温环境下长期稳定运行。同时，由于其低功耗特性，发热量较小，有助于简化散热设计。UMD2小型封装不仅节省PCB空间，还具备优良的热传导能力，适合高密度集成应用。
　　UPB2W100MHD具有较高的反向击穿电压裕度，在100V额定电压下仍能保持稳定的电气性能，适用于输入电压波动较大的应用场景。其反向漏电流在常温下仅为0.1μA，虽然在高温下会有所增加，但仍在可接受范围内。此外，该器件具备较强的抗浪涌能力，可承受高达30A的非重复浪涌电流，增强了系统的鲁棒性。

UPB2W100MHD广泛应用于多种高频、高效率的电源管理系统中。在DC-DC转换器中，常被用作同步整流的辅助二极管或自举电路中的充电二极管，利用其低VF和快速响应特性来减少能量损耗并提高转换效率。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件用于电池充放电管理、电压调节模块（VRM）以及背光驱动电路中，帮助延长电池续航时间。
　　在AC-DC适配器和小型电源模块中，UPB2W100MHD可用作次级侧的整流二极管或箝位二极管，尤其适用于反激式（Flyback）拓扑中的输出整流环节。其快速恢复特性可有效减少开关噪声，提升电源的EMI性能。此外，在电机驱动和逆变器电路中，该器件常作为续流二极管使用，保护开关器件免受感性负载产生的反电动势冲击。
　　工业控制设备、通信模块和消费类电子产品的电源管理单元也是其重要应用领域。例如，在FPGA、ASIC或微处理器的供电电路中，UPB2W100MHD可用于电源路径切换或电压检测电路。其小型表面贴装封装适合自动化生产，满足现代电子产品对小型化和高可靠性的要求。此外，该器件也适用于太阳能充电控制器、LED驱动电源等绿色能源相关产品中，助力实现高效节能的设计目标。

RB020M100R2E
　　RB020M100R2G
　　SS24
　　SBM260