时间：2025/10/8 0:15:39
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UPB2V101MHD是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极工艺技术制造。该器件专为高效率、低导通电阻的应用而设计，广泛用于电源管理、负载开关、电池供电设备以及DC-DC转换电路中。其主要优势在于能够在较低的栅极驱动电压下实现优异的导通性能，支持逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器或其他低压控制信号直接接口使用。
该MOSFET封装在HUF5C6系列的小型表面贴装Power-Mold封装中，具有良好的热性能和较小的PCB占位面积，适用于空间受限的便携式电子产品。器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的可靠性和稳定性，能够在工业级温度范围内稳定工作。UPB2V101MHD的设计重点在于降低系统功耗、提高能效，并提供快速的开关响应能力，使其成为现代低电压、高密度电源系统中的理想选择之一。此外，该器件还内置了体二极管，可用于反向电流保护或续流路径，在实际应用中增强了系统的鲁棒性。
型号：UPB2V101MHD
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-7.8A（@TC=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：-24A
导通电阻RDS(on)：3.2mΩ（@VGS=-4.5V）
导通电阻RDS(on)：2.8mΩ（@VGS=-2.5V）
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.6V
输入电容（Ciss）：1370pF（@VDS=10V）
输出电容（Coss）：470pF（@VDS=10V）
反向恢复时间（trr）：典型值20ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：HUF5C6（Power-Mold）
安装类型：表面贴装SMT
UPB2V101MHD采用ROHM专有的Trench结构技术，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时优化了开关特性和热稳定性。该MOSFET在低栅极驱动电压下仍能保持出色的导通性能，例如在VGS = -2.5V时，RDS(on)仅为2.8mΩ，这使得它能够兼容3.3V或甚至更低的逻辑电平控制系统，无需额外的电平转换电路即可直接由MCU GPIO驱动，从而简化了整体电源架构设计并降低了系统成本。该器件的超低导通电阻有助于减少传导损耗，提升电源转换效率，特别适用于大电流、低电压应用场景如移动设备的电池管理模块或同步整流电路。
另一个关键特性是其优异的热性能表现。得益于HUF5C6 Power-Mold封装技术，UPB2V101MHD具备出色的散热能力，能够在紧凑的空间内有效传导热量，避免因局部温升过高而导致器件失效。该封装还减少了内部引线电感，提升了高频开关下的EMI性能，使器件在高速开关操作中更加稳定可靠。此外，该MOSFET具有较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），有助于减小驱动损耗和开关延迟，进一步提升系统响应速度。
器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护设计，增强了在瞬态过压和静电放电环境下的耐受能力。体二极管的反向恢复时间较短（trr约20ns），可有效减少反向恢复电荷带来的能量损耗，防止在桥式或同步整流拓扑中产生严重的电压尖峰问题。整体而言，UPB2V101MHD结合了低RDS(on)、高电流承载能力、优良热性能和紧凑封装等优点，是一款面向高效能、小型化电源系统的高性能P沟道MOSFET解决方案。
UPB2V101MHD广泛应用于需要高效率、小尺寸和低电压控制的电源管理系统中。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等，用于控制电池对不同功能模块的供电通断。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻极低，非常适合用于电池供电系统的主开关或背靠背配置中的防反接保护电路。
在DC-DC转换器领域，该器件常被用作同步整流器或高端开关元件，尤其是在降压（Buck）转换器中替代传统的二极管以提高整体转换效率。其快速的开关响应和低寄生参数也使其适用于高频开关电源设计，帮助减小外围滤波元件的体积并提升功率密度。
此外，UPB2V101MHD还可用于电机驱动电路、热插拔控制器、USB电源开关以及各类工业控制板上的电源隔离与分配模块。在需要反向电流阻断或电池反接保护的场景中，其内置的体二极管和低RDS(on)特性提供了天然的优势。由于工作温度范围宽且可靠性高，该器件也能胜任汽车电子中的辅助电源系统或车载信息娱乐设备中的低边开关任务。总之，凡是要求低功耗、高集成度和稳定性能的P沟道MOSFET应用场景，UPB2V101MHD都是一个极具竞争力的选择。
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"UPB2V101MHD-E"
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