型号：UPB2C220MPD
　　通道类型：P沟道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-2.2A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-8.8A
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=4.5V：36mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=2.5V：47mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max@VGS=1.8V：75mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：420pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr)：未集成体二极管快速恢复特性
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：Power-Mold (S-Mini)
　　安装类型：表面贴装
　　极性：P-Channel
　　功耗(Pd)：1W @ TC=25°C
　　热阻(Junction-to-Case, Rth(j-c))：150°C/W
　　热阻(Junction-to-Ambient, Rth(j-a))：250°C/W

UPB2C220MPD具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻与宽泛的栅极驱动兼容性。在VGS = -4.5V条件下，RDS(on) 最大仅为36mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。即便在较低的栅极驱动电压如-2.5V或-1.8V下，其RDS(on)仍保持在可接受范围内（分别为47mΩ和75mΩ），这使得它非常适合用于由3.3V或1.8V逻辑信号直接驱动的低压控制系统，无需额外的电平转换或专用驱动IC，简化了电路设计并降低成本。器件采用ROHM成熟的沟槽型MOSFET工艺，实现了载流子迁移路径的优化，有效提升了单位面积的电流承载能力，同时抑制了短沟道效应，增强了高温下的稳定性。
　　该器件的栅极阈值电压典型值约为-0.8V，确保在接近逻辑低电平时即可开始导通，响应迅速。输入电容（Ciss）为420pF，在同类P沟道MOSFET中处于较低水平，意味着所需的驱动电荷较少，有利于高频开关应用并降低驱动损耗。尽管作为P沟道器件通常开关速度略慢于N沟道，但UPB2C220MPD通过结构优化实现了较快的开关响应，适用于中等频率的DC-DC变换器或负载开关场景。
　　热性能方面，其热阻Rth(j-a)为250°C/W，结合1W的最大功耗能力，在合理布局和散热设计下可稳定运行于严苛环境。器件具备良好的抗雪崩能力和ESD防护特性，提高了在瞬态过压或静电放电情况下的可靠性。此外，其小型化的Power-Mold封装不仅节省PCB空间，还通过缩短内部引线长度降低了寄生电感，进一步改善了高频性能和EMI表现。

UPB2C220MPD主要应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电路径控制，例如在智能手机和平板电脑中作为主电源开关或备用电池切换开关，利用其低RDS(on)减少待机和工作状态下的能量损耗，延长电池续航时间。在负载开关（Load Switch）应用中，该器件可用于上电时序控制、浪涌电流限制以及热插拔保护，其内置的栅极电阻和软启动设计（需外接电容）可有效抑制电流冲击，保护后级电路。
　　在同步整流型DC-DC转换器中，UPB2C220MPD可作为高端或低端开关使用，特别是在输入电压较低（如3.3V或5V）的降压电路中，其低导通电阻有助于提高转换效率。此外，它也适用于电压反转电路、OR-ing二极管替代方案以及电机驱动中的H桥控制部分。工业领域中，该器件可用于PLC模块、传感器供电控制、LED驱动电源等对可靠性和尺寸有要求的场合。由于其表面贴装封装和无铅兼容性，特别适合自动化贴片生产和回流焊工艺，广泛用于消费类电子产品、物联网终端设备、医疗电子和个人移动设备中。

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　　 "UPB2C220MPC",
　　 "DMG2302UK",
　　 "AO3415",
　　 "Si2301DS",
　　 "FDC6322P"
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