时间：2025/10/6 22:58:51
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UPB1A332MHD是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的硅N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用而设计，广泛应用于电源转换系统、DC-DC转换器以及电机驱动电路中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，结合优化的封装设计，能够在高效率和小型化之间实现良好平衡。UPB1A332MHD特别适用于需要低导通电阻和快速开关特性的场合，例如笔记本电脑适配器、LED照明电源、便携式设备电源管理模块等。该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合在紧凑型电子产品中使用。
该器件通常采用HVSOF-8或类似的表面贴装小型封装，有助于减小PCB占用面积，并通过优化的引脚布局降低寄生电感和电阻，从而提升整体开关性能。其栅极阈值电压设计合理，兼容标准逻辑电平驱动信号，可直接由控制器或驱动IC驱动，简化了外围电路设计。此外，UPB1A332MHD具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
型号：UPB1A332MHD
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：18A（@Tc=75℃）
脉冲漏极电流IDM：72A
导通电阻RDS(on)：4.3mΩ（@VGS=10V, ID=9A）
导通电阻RDS(on)：5.6mΩ（@VGS=4.5V, ID=9A）
栅极电荷Qg：19nC（@VGS=10V）
输入电容Ciss：910pF（@VDS=15V）
反向恢复时间trr：15ns
工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
封装类型：HVSOF-8
UPB1A332MHD具备出色的导通性能和开关速度，其低导通电阻RDS(on)显著降低了在高电流条件下的导通损耗，提升了电源系统的整体能效。在VGS=10V时，RDS(on)仅为4.3mΩ，即使在较低的驱动电压4.5V下也能保持5.6mΩ的低阻值，这使其非常适合用于同步整流和电池供电设备中的高效DC-DC变换器。这种低RDS(on)特性不仅减少了发热，还允许更高的功率密度设计，有助于缩小散热器尺寸甚至实现无散热器设计。
该器件的栅极电荷Qg低至19nC，意味着驱动电路所需的能量较少，从而降低了驱动损耗并提高了系统的工作频率上限。低Qg与适度的输入电容Ciss（910pF）相结合，使得MOSFET能够快速开启和关断，减少开关过渡时间，进一步降低开关损耗。这对于高频开关电源（如MHz级同步降压转换器）尤为重要，有助于实现更高的转换效率和更小的滤波元件体积。
UPB1A332MHD采用了先进的沟道设计和工艺控制，确保了载流子迁移率的最大化和载流子散射的最小化，从而在保证高电流承载能力的同时维持良好的热稳定性。其反向恢复时间trr仅为15ns，在体二极管参与换流的应用中表现出优异的性能，减少了反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。此外，器件具备良好的雪崩能量承受能力，能够在电源突发短路或负载突变时提供一定的自我保护能力，增强了系统可靠性。
该MOSFET的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，表明其可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。其HVSOF-8封装不仅体积小巧，还通过优化内部引线和焊料连接，提升了热传导效率，有效将芯片热量传导至PCB，从而改善热管理性能。封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化SMT生产流程。
UPB1A332MHD广泛应用于各类高效率、高频率的电源管理系统中。典型应用场景包括：同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电；笔记本电脑、平板电脑和超极本的主电源转换电路；服务器和通信设备的板级电源模块；LED背光驱动和恒流电源；电动工具和无人机的电池管理系统；以及工业电机驱动中的低端开关元件。
在这些应用中，UPB1A332MHD凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率，减少能量损耗和发热。其小尺寸封装也便于在空间受限的设计中布局，尤其适合追求轻薄化和高集成度的消费类电子产品。此外，该器件也可用于ORing电路、热插拔控制器和负载开关等需要低损耗通路的场合，提供可靠的电源路径控制。由于其良好的热稳定性和电气性能一致性，UPB1A332MHD在批量生产中表现出优异的良率和长期可靠性，是现代高效电源设计中的优选功率开关器件。
SMPA332N-T1-E3
AO4407
