时间：2025/10/7 2:04:24
阅读：10
UPB1A222MHD是一款由ROHM Semiconductor生产的通用型多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于大容量、高电压的表面贴装电容器系列，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、滤波、旁路和储能等电路功能。UPB1A222MHD的标称电容值为2200pF（即2.2nF），额定电压为500V，适用于需要在较高电压下稳定工作的应用场景。该产品采用X7R介电材料，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+125°C的温度范围内，电容值变化不超过±15%。其封装尺寸为1812（4532公制），便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备较高的机械强度和可靠性。UPB1A222MHD符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品制造要求。作为一款工业级电容器，它在设计上优化了耐压性能与体积之间的平衡，能够在高温、高湿等恶劣环境下长期稳定运行，是工业控制、电源系统和照明设备中的理想选择之一。
电容：2200pF
额定电压：500V
介电材料：X7R
温度特性：-55°C ~ +125°C, ±15%
封装尺寸：1812 (4532)
电容容差：±20%
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
产品类型：陶瓷电容器, MLCC
安装类型：表面贴装 (SMD)
高度：约2.5mm
引线间距：无引线（芯片式）
直流偏压特性：典型值随电压升高电容下降
UPB1A222MHD采用X7R型陶瓷介质材料，这种材料以其优异的温度稳定性和适中的介电常数著称。在-55°C到+125°C的宽温度范围内，其电容值的变化被控制在±15%以内，确保了电路在极端环境下的稳定性。这一特性使其特别适用于那些工作环境温度波动较大的应用场合，如工业自动化设备、户外电源模块以及车载电子系统等。X7R材料还具备较好的老化性能，电容值随时间推移的变化率较低，通常每年小于2.5%，从而保障了长期使用的可靠性。
该电容器的500V额定电压使其能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于高压电源线路中的滤波和去耦任务。相比低压MLCC，UPB1A222MHD在相同封装尺寸下提供了更高的耐压能力，有助于减少因电压击穿导致的故障率。此外，在直流偏置条件下，虽然X7R材料存在一定的电容下降现象，但ROHM通过优化内部叠层结构和介质配方，有效降低了电压对电容值的影响，提升了实际工作条件下的性能一致性。
1812（4532）封装形式在保证足够电气间隙和爬电距离的同时，兼顾了PCB布局的空间效率。该尺寸支持自动化贴片工艺，适用于大规模回流焊生产流程。UPB1A222MHD经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）和耐焊接热测试，确保在严苛制造和使用环境中保持稳定的电气性能。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性也有助于提升高频响应能力，适用于中频滤波和噪声抑制场景。
UPB1A222MHD因其高耐压和稳定的温度特性，广泛应用于多种工业和消费类电子设备中。在开关电源（SMPS）设计中，常用于初级侧的RC吸收电路或缓冲电路，以抑制功率开关管在关断过程中产生的电压尖峰，保护MOSFET或IGBT等半导体器件。其高耐压能力也使其适合用作跨接在交流输入端的Y电容或X电容替代方案（需注意安规认证情况），用于EMI滤波网络中，抑制传导干扰。
在工业控制系统中，该电容器可用于PLC模块、变频器和伺服驱动器的电源去耦和信号滤波，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。在LED照明电源中，UPB1A222MHD可作为谐振电容或滤波电容使用，尤其适用于隔离式反激变换器的反馈回路或箝位电路中，帮助实现高效能量转换和稳定输出。
此外，该器件也适用于医疗设备、测试仪器和通信电源等对可靠性和安全性要求较高的领域。由于其具备良好的高频特性和较小的体积，可以在紧凑型高密度PCB设计中替代传统电解电容或薄膜电容，实现更优的集成度和散热性能。在需要承受瞬态高压脉冲的应用中，如感应加热、电弧检测或传感器接口电路，UPB1A222MHD也能发挥出色的稳定性和耐用性。
