UPA2726UT1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和负载切换等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够在高频开关应用中提供出色的效率和可靠性。
UPA2726UT1的设计使其能够在高温环境下稳定工作,并且具备良好的热性能表现,适合对功率密度要求较高的设计。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:26A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
总功耗:180W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
UPA2726UT1具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达26A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗并优化高频操作。
4. 优秀的热稳定性,确保在高结温条件下仍能保持可靠的性能。
5. 具备静电防护设计,提高了器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅制造工艺。
UPA2726UT1适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 逆变器模块,用作功率转换的核心元件。
4. 负载切换和保护电路,实现动态负载管理。
5. 工业自动化设备中的功率调节与控制功能。
6. 汽车电子系统中的高压开关组件。
IRFZ44N, STP26NF06L, FDP55N06