型号：UPA1V821MHD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　封装类型：HVSOF-8
　　最大漏源电压(VDS)：20V
　　最大连续漏极电流(ID)：5.5A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：16A
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围1.0V~1.4V
　　导通电阻(RDS(on))：最大22mΩ @ VGS=4.5V；最大17mΩ @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：典型值500pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：典型值190pF
　　反向恢复时间(trr)：典型值18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　功耗(Pd)：最大2.5W（基于封装散热能力）
　　安装类型：表面贴装(SMD)

UPA1V821MHD具备多项优异特性，使其在同类低电压MOSFET中表现出色。首先，其超低导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，尤其是在大电流应用场景下，能够有效减少发热并提高整体能效。当栅极驱动电压为4.5V时，RDS(on)仅为22mΩ，在10V驱动条件下更是低至17mΩ，这使得该器件非常适合用于高效率同步整流或负载开关应用。
　　其次，该MOSFET支持逻辑电平驱动，阈值电压低至1.0~1.4V，允许使用3.3V甚至更低的控制信号直接开启，兼容现代微处理器和数字控制器的I/O电平，无需外加电平转换或专用驱动IC，极大简化了外围电路设计。
　　再次，HVSOF-8封装不仅体积小巧（通常为3mm x 3mm左右），还优化了热传导路径，提高了单位面积的散热能力，确保在高负载条件下仍能维持稳定工作温度。这种封装形式适合自动化贴片生产，提升了制造效率与产品一致性。
　　此外，器件内部集成了二极管保护结构，具备一定的抗静电能力和瞬态电压抑制能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。同时，较低的输入和输出电容意味着更快的开关速度和更小的驱动功率需求，有助于实现高频开关操作，进而减小外部滤波元件尺寸，推动系统小型化。
　　最后，UPA1V821MHD经过严格的可靠性测试，符合工业级温度范围要求（-55°C至+150°C），可在严苛环境下长期稳定运行，适用于消费类、工业类及便携式医疗设备等多种场景。

UPA1V821MHD主要应用于对空间和能效有严格要求的低压电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，在这些产品中用于控制不同模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔功能。由于其快速响应特性和低静态功耗，非常适合作为主控单元与外设之间的电源门控开关。
　　在DC-DC转换器拓扑中，特别是同步降压（Buck）变换器中，UPA1V821MHD常被用作同步整流管，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降和功率损耗，从而提升转换效率。这一优势在电池供电系统中尤为重要，有助于延长续航时间。
　　此外，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS）、USB电源开关、LED驱动电路以及电机驱动中的低端开关应用。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够在短时过载或峰值负载下可靠工作。
　　在工业控制领域，UPA1V821MHD可用于PLC模块、传感器供电管理、继电器驱动等场合，提供精确且高效的电源控制。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模批量制造。
　　值得一提的是，由于其具备良好的热稳定性和电气性能，该MOSFET也被应用于部分汽车电子模块中，例如车载信息娱乐系统的电源管理单元，只要工作条件在其额定范围内即可安全使用。

UPA1H821TDE2