型号：UPA1V271MPD
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大连续漏极电流(ID)：4.4A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：17.6A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：27mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：34mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：40mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.7V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：570pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8 Power Dissipation Package (DP8)

UPA1V271MPD采用了先进的沟槽型场效应晶体管技术，这种结构显著降低了导通电阻，同时提升了电流处理能力和开关速度。其核心特性之一是极低的RDS(on)，在VGS=10V时仅为27mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。即使在较低的驱动电压下，如4.5V或2.5V，其导通电阻依然保持在较低水平（分别为34mΩ和40mΩ），这意味着它可以在低压控制系统中实现高效的电源切换，非常适合由微控制器直接驱动的应用场景。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg=8.5nC），这一特性对于高频开关应用至关重要，因为它可以降低驱动电路的功耗并加快开关速度，从而减少开关过程中的能量损耗。此外，输入电容（Ciss）为570pF，输出电容（Coss）为190pF，Crss为50pF，这些参数表明其具有良好的高频响应能力，适合用于高频率工作的DC-DC变换器拓扑结构，例如同步降压或升压转换器。
　　UPA1V271MPD还具备优秀的热性能，得益于其采用的DP8封装（SOP-8增强散热型封装），能够在有限的空间内有效传导热量，提升长期运行的可靠性。该封装支持表面贴装工艺，便于自动化生产，且具有良好的机械稳定性。其工作结温范围可达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境下的使用需求，包括工业控制、汽车电子和户外设备等。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），有助于减少开关瞬态过程中的反向电流冲击，降低电磁干扰（EMI）风险，提升系统稳定性。此外，±20V的栅源电压耐受能力使其在面对电压波动或瞬态过压时具备更强的鲁棒性，避免因栅极损坏导致的器件失效。综合来看，UPA1V271MPD是一款兼顾性能、效率与可靠性的功率MOSFET，适用于多种高要求的电源管理应用。

UPA1V271MPD因其低导通电阻、快速开关特性和小型封装，被广泛应用于各类中低功率电源管理系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压或升压转换器，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于实现高效的电压调节和电池供电管理。在这些设备中，该MOSFET通常作为同步整流开关或主开关元件，配合控制器实现高效率的能量转换。
　　此外，它也常用于负载开关电路中，控制不同功能模块的电源通断，以实现节能待机或热插拔保护。例如，在笔记本电脑或嵌入式系统中，用作USB端口电源控制、显示屏背光供电开关或外设供电管理单元的核心组件。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由3.3V或5V GPIO信号控制，简化了驱动电路设计。
　　在工业控制领域，UPA1V271MPD可用于PLC模块、传感器供电单元或小型电机驱动电路中的电源开关部分。其宽温度工作范围和高可靠性使其适用于环境较为严苛的工业现场设备。在汽车电子中，虽然非车规级版本不适用于主动力系统，但可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源模块中，提供稳定的电源切换功能。
　　另外，该器件也适用于LED驱动电源、充电器电路、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及各种开关模式电源（SMPS）拓扑结构中作为功率开关使用。凭借其优异的电气性能和封装优势，UPA1V271MPD成为现代高效能、小体积电源设计中的理想选择之一。

UPA1H271MPD
　　SiSS047DN-T1-E3
　　AON6260
　　FDG330N