UPA1V181MPD是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低导通电阻和快速开关应用而设计。该器件封装在小型化的HSMT5（也称为DFN2020）封装中，具有优良的热性能和空间利用率，非常适合在便携式电子产品和高密度电路板设计中使用。UPA1V181MPD主要用于电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制等。其低阈值电压特性使其能够与3.3V或更低的逻辑信号直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化系统设计并降低整体成本。此外，该MOSFET具备良好的栅极氧化层可靠性，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对可靠性要求较高的工业和车载环境。器件在设计上优化了寄生参数，降低了开关损耗，提升了系统能效。由于其小尺寸封装和高性能表现，UPA1V181MPD广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网设备以及各类嵌入式系统中。
　　该型号的命名遵循瑞萨的标准命名规则：'UPA'代表通用功率放大器/MOSFET系列，'1V'表示最大漏源电压等级为20V，'181'为产品序列号，'MPD'则指代其封装类型为HSMT5。这种标准化命名方式有助于工程师快速识别器件的关键电气特性与封装形式。数据手册建议在PCB布局时注意散热焊盘的设计，以确保器件在大电流工作条件下仍能保持稳定运行。同时，推荐使用合适的栅极驱动电阻来抑制振铃现象，提高EMI性能。