时间：2025/10/6 22:45:22
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UPA1E561MPD6是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（S-MPD6），专为高效率、低功耗应用设计。该器件广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中，因其具备低导通电阻、快速开关特性和良好的热稳定性，适合在空间受限但性能要求较高的电路中使用。UPA1E561MPD6的结构基于先进的沟槽型MOSFET技术，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通控制，适用于3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。其紧凑的封装形式不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。
这款MOSFET特别适用于负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器以及LED背光驱动等应用。由于其优异的开关速度和低漏电流特性，能够有效降低系统功耗，提高整体能效。此外，UPA1E561MPD6具有较高的雪崩耐受能力和抗静电能力，增强了系统在瞬态过压或恶劣工作环境下的可靠性。数据手册中提供了详细的电气特性曲线和热性能参数，便于工程师进行精确的电路设计与热管理规划。
型号：UPA1E561MPD6
通道类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=10V, 3.7A；40mΩ @ Vgs=4.5V, 3.7A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：530pF @ Vds=15V
反向恢复时间（trr）：28ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-MPD6（小型双引线功率封装）
极性：单N沟道
峰值脉冲漏极电流（Idm）：14A
栅源电压范围（Vgs）：±20V
功耗（Pd）：1.5W @ Ta=25°C
UPA1E561MPD6具备多项高性能特性，使其在同类功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流负载条件下可有效提升系统效率。例如，在4.5V栅极驱动电压下，Rds(on)仅为40mΩ，这意味着即使在3.7A的工作电流下，导通压降也仅约为148mV，对应的功率损耗小于0.55W，这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。此外，该器件优化了栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得开关速度更快，减少了开关过程中的交越损耗，从而进一步提升了高频开关应用中的整体能效。
其次，UPA1E561MPD6采用了S-MPD6封装，这种小型化封装不仅节省了宝贵的PCB面积，而且具有良好的热传导性能。封装底部集成了散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传递至地层或散热层，有效控制芯片结温上升。在自然对流条件下，该器件仍能稳定工作于较高负载状态，适用于紧凑型电源模块设计。同时，该封装支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线，提高了制造效率和产品一致性。
再者，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境温度下保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。其栅极氧化层经过强化处理，具备较强的抗静电击穿能力（HBM ESD耐压可达±2000V以上），降低了因静电放电导致器件损坏的风险。此外，器件内部结构设计优化了电场分布，提高了抗击穿能力和长期可靠性。在负载切换或短路保护等动态工况下，其快速响应特性有助于实现精准的电流控制与故障保护机制。
UPA1E561MPD6广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关与电源路径管理。在这些设备中，它常被用于控制不同功能模块的供电通断，例如显示屏背光、摄像头模组或外设接口的电源开关，利用其低静态电流和快速响应特性实现节能与系统稳定性兼顾的设计目标。
此外，该器件适用于同步整流型DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）拓扑结构中作为下管或上管使用。其低Rds(on)和快速开关能力有助于减少转换过程中的能量损失，提高转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。在电池充电管理电路中，UPA1E561MPD6可用于实现充放电路径的隔离与控制，防止反向电流流动，保障电池安全。
其他应用还包括LED驱动电路、电机驱动中的低端开关、热插拔控制器以及各类需要高效开关元件的小功率电源模块。由于其具备良好的抗噪能力和稳定的电气特性，也可用于工业传感器模块和通信设备中的电源管理单元。其小型封装特别适合高密度集成设计，是替代传统TO-92或SOT-23封装晶体管的理想选择，在追求微型化与高性能并重的产品设计中具有重要价值。
UPA1H561MPD6,RSA02N03XLS8,DMG2302U,MCH3311,FDML86201
