型号：UPA1E102MPD
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：4.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：19.6A
　　导通电阻(RDS(on))：10.2mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容(Ciss)：470pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：8.4nC @ VGS=4.5V
　　二极管正向电流(IS)：4.9A
　　反向恢复时间(trr)：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HVSOF-8

UPA1E102MPD具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类产品中表现出色。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一，在VGS=4.5V时RDS(on)仅为10.2mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并减少散热需求。其次，该MOSFET采用了HVSOF-8小型表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可有效将热量传递至PCB，提升散热效率。该封装符合现代电子产品小型化、轻薄化的设计趋势。
　　此外，UPA1E102MPD支持低电压驱动，其阈值电压范围为0.6V至1.0V，能够在3.3V甚至更低逻辑电平下可靠开启，兼容大多数微控制器和逻辑IC的输出信号，无需额外的电平转换电路。这一特性使其非常适合用于由低压MCU直接驱动的开关应用。同时，器件的输入电容和栅极电荷较小，意味着驱动功耗低，有利于提高高频开关应用中的能效表现。
　　在可靠性方面，该MOSFET具备优良的抗静电能力（ESD保护）和抗雪崩能力，能够承受一定的过压和瞬态应力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其最大结温可达+150°C，适用于高温环境下的稳定运行。此外，器件内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr=16ns），减少了在感性负载切换时的能量损耗和电压尖峰，有助于降低电磁干扰（EMI）。
　　UPA1E102MPD还经过严格的质量认证，符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于自动化SMT生产线。其高度集成的设计简化了外围电路，减少了元件数量，提高了系统的整体可靠性。综合来看，这款MOSFET在性能、尺寸、效率和可靠性之间实现了良好平衡，是中低功率开关应用的理想选择。

UPA1E102MPD广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适合需要高效率、小体积和快速响应的电源管理场合。常见应用包括便携式消费类电子产品中的负载开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和电源隔离。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用作同步整流开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提升转换效率。
　　此外，它也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端或高端开关，提供快速开关响应和低功耗运行。在电池管理系统（BMS）中，可用于充放电路径的通断控制，配合保护IC实现过流、短路等故障保护功能。
　　工业控制领域中，UPA1E102MPD可用于PLC模块、传感器供电控制和继电器替代方案，实现固态开关功能，提升系统响应速度和寿命。在LED照明驱动电路中，也可作为恒流调节或调光开关使用，尤其是在低电压LED阵列中表现出良好的线性控制能力。
　　由于其良好的热稳定性和高频特性，该器件还适用于USB电源开关、热插拔控制器、笔记本电脑电源管理单元以及各类嵌入式系统的电源分配网络中。总之，凡是需要高效、紧凑且可靠的N沟道MOSFET的应用场景，UPA1E102MPD都是一个极具竞争力的选择。

DMG1012UFG
　　AOZ1282CI
　　SI2302DDS