时间：2025/10/6 20:24:48
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UPA1C562MHD是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、低功耗的电源管理应用而设计。该器件采用HVSOF-5（High Voltage Small Outline FET）封装，具有较小的占位面积和良好的热性能，适用于空间受限且对散热有一定要求的应用场景。UPA1C562MHD工作在高压环境下，具备优异的开关特性和导通电阻表现，能够有效降低功率损耗，提升系统整体能效。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关电路、电池供电设备以及便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他消费类电子设备。其高集成度和可靠性使其成为现代电源管理系统中的关键元件之一。
该器件在设计上优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。此外，UPA1C562MHD内置了静电放电（ESD）保护结构，增强了器件在实际使用过程中的鲁棒性。其封装形式支持表面贴装工艺，便于自动化生产，提高了制造效率并降低了生产成本。由于采用了先进的半导体制造工艺，该MOSFET在高温环境下的稳定性也得到了保障，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
型号：UPA1C562MHD
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.6A（Tc=75°C）
脉冲漏极电流（Idm）：22.4A
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@ Vgs=10V, Id=2.8A）
导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（@ Vgs=4.5V, Id=2.8A）
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：470pF（@ Vds=15V）
反向恢复时间（trr）：18ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：HVSOF-5
UPA1C562MHD具备多项先进特性，使其在同类产品中具有显著优势。首先，其低导通电阻Rds(on)是该器件的核心亮点之一。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为28mΩ，在Vgs=4.5V时也仅为33mΩ，这表明即使在较低的驱动电压下，器件仍能保持较低的导通损耗，非常适合用于电池供电或低压控制逻辑直接驱动的应用。这种低Rds(on)特性有助于减少I2R损耗，提高电源转换效率，并降低热生成，从而减少对额外散热措施的需求。
其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力。在适当的散热条件下，连续漏极电流可达5.6A，脉冲电流更高达22.4A，能够应对瞬态负载变化，适用于需要短时大电流输出的负载开关或电机驱动场景。同时，其漏源击穿电压为30V，允许在12V或24V系统中安全使用，具备一定的电压裕量，提升了系统的可靠性。
再者，UPA1C562MHD采用了HVSOF-5小型化封装，不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局和内部结构实现了良好的热传导性能。该封装支持高密度贴装，适用于紧凑型电子产品设计。此外，器件的输入电容仅为470pF，意味着所需的驱动能量较少，有利于降低驱动IC的负担，特别适合与控制器IC协同工作的同步整流或开关电源拓扑。
最后，该MOSFET具备良好的开关特性，反向恢复时间trr为18ns，说明体二极管的恢复速度较快，可减少开关过程中的交叉导通风险和能量损耗，尤其在同步降压变换器中表现优异。结合其1.0~2.0V的阈值电压，能够实现快速开启与关断，进一步提升高频工作的稳定性与效率。
UPA1C562MHD广泛应用于多种电源管理场景。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，在此类电路中作为下管（low-side MOSFET）使用，利用其低Rds(on)和快速开关特性提高转换效率。它也可用于负载开关电路，控制电源路径的通断，实现对子系统的上电/断电管理，常见于移动设备中的LCD背光、摄像头模组或外设供电控制。
此外，该器件适用于电池供电系统中的电源切换与保护电路，例如在双电池系统或多输入源选择中作为主开关元件。由于其支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），可直接由微控制器GPIO或电源管理IC驱动，无需额外电平转换或驱动电路，简化了系统设计。
在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等设备中，UPA1C562MHD凭借其小尺寸封装和高效能表现，成为理想的功率开关选择。同时，它还可用于LED驱动电路、USB端口过流保护、热插拔控制器以及工业低功率电源模块中，提供稳定可靠的功率控制功能。
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"UPA1H562MHD",
"SiS452DN",
"AO4403",
"NTMFS4C03N"
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