型号：UPA1C471MPD
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：5.4A
　　脉冲漏极电流IDM：20A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：33mΩ（@ VGS = 10V）
　　导通电阻RDS(on)：47mΩ（@ VGS = 4.5V）
　　阈值电压Vth：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容Ciss：520pF（@ VDS = 15V）
　　输出电容Coss：160pF（@ VDS = 15V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@ VDS = 15V）
　　总栅极电荷Qg：8.5nC（@ VGS = 10V）
　　功率耗散PD：1W（TC = 25°C）
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（表面贴装）
　　引脚数：8

UPA1C471MPD具备多项优异的电气与热性能特性，使其成为中低功率电源管理应用中的理想选择。首先，其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下能够有效减少发热，提高系统能效。在VGS = 10V时，RDS(on)仅为33mΩ；即使在较低驱动电压4.5V下，仍可维持47mΩ的低阻值，这使得该器件兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，无需额外升压电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。其次，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg = 8.5nC），有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗，特别适合高频PWM调制应用，如同步整流型DC-DC变换器。
　　此外，UPA1C471MPD的输入、输出及反向传输电容均经过优化，Ciss为520pF，Coss为160pF，Crss为40pF，在保证良好高频响应的同时抑制了米勒效应引起的误触发风险，提升了开关稳定性。其阈值电压Vth在1.0V至2.0V之间，确保了可靠的开启控制，并避免因噪声干扰导致的意外导通。器件采用SOP-8封装，具有较大的焊盘面积以增强散热能力，同时支持回流焊工艺，便于自动化生产。热阻方面，结到壳的热阻Rth(j-c)约为150°C/W，结合适当的PCB布局可实现有效的热量传导。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境下的长期稳定运行。该器件还内置了体二极管，具备一定的反向电流续流能力，适用于桥式或感性负载切换场景。总体而言，UPA1C471MPD通过综合优化静态与动态参数，在效率、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡。

UPA1C471MPD广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的负载开关，用于控制LCD背光、摄像头模块或无线通信单元的电源通断，利用其低静态功耗和快速响应特性延长电池续航时间。在DC-DC降压转换器中，它常被用作同步整流器或主开关管，配合控制器实现高效率电压转换，常见于智能手机、平板电脑和物联网终端设备的电源架构中。此外，该器件也适用于电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，尤其适合玩具、家用电器和微型机器人等消费类产品。工业领域中，UPA1C471MPD可用于传感器电源管理、LED驱动电路以及继电器或电磁阀的驱动接口，提供稳定的开关控制功能。由于其良好的EMI特性和开关精度，也可用于音频设备或精密测量仪器中的电源隔离与切换。在通信设备中，该MOSFET可用于热插拔电路或冗余电源切换，保障系统连续运行。得益于SOP-8封装的小尺寸优势，UPA1C471MPD特别适合空间受限的应用场合，例如可穿戴设备、TWS耳机充电仓和微型电源适配器。其环保合规性和高可靠性也使其满足工业级和汽车电子外围电路的设计要求。无论是作为低端驱动还是高端开关，UPA1C471MPD都能提供稳定可靠的性能表现，是现代电子设计中常用的通用型N沟道MOSFET解决方案之一。

SiSS045DN-T1-GE3
　　AO3400A
　　FDS6679A
　　FDMC8870