时间：2025/10/7 10:27:58
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UPA1C331MPD是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于小型电子设备中的开关和放大电路。该器件采用紧凑型表面贴装封装（S-Mini），非常适合对空间要求严苛的便携式电子产品设计。UPA1C331MPD专为低电压、低功耗应用而设计，具备优异的导通电阻特性与快速开关能力，能够在较小的封装内实现高效的功率控制。其主要面向消费类电子、通信设备以及电池供电系统等领域。
该MOSFET在设计上优化了栅极电荷和输出电容，从而降低了开关损耗，提升了整体能效。此外，它具有良好的热稳定性和可靠性，适合在较宽温度范围内稳定工作。由于采用了先进的硅工艺技术，UPA1C331MPD在保证高性能的同时也具备较强的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际使用中的耐用性。该器件常用于LED驱动、DC-DC转换器、负载开关、电机控制等应用场景中，是许多中小型功率管理系统的理想选择之一。
型号：UPA1C331MPD
类型：N沟道MOSFET
封装形式：S-Mini
连续漏极电流（ID）：2.0A
漏源击穿电压（BVDSS）：30V
栅源阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
导通电阻（RDS(on)）：最大95mΩ（@ VGS=4.5V）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
功耗（Ptot）：1W（@ Ta=25°C）
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
输入电容（Ciss）：约400pF（@ VDS=15V）
开启延迟时间（td(on)）：约10ns
关断延迟时间（td(off)）：约25ns
UPA1C331MPD具备出色的低导通电阻特性，在VGS=4.5V条件下，RDS(on)最大仅为95mΩ，这使得器件在导通状态下产生的功率损耗非常小，有助于提高电源效率并减少发热问题。这一特性特别适用于高密度集成的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。此外，低RDS(on)还意味着可以在相同电流下使用更小尺寸的散热设计，进一步节省PCB空间。
该器件具有较低的栅极电荷（Qg），通常在几纳库仑级别，这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低控制器的驱动负担，尤其适合由微控制器或逻辑门直接驱动的应用场景。同时，较低的输入电容和输出电容使其具备较快的开关速度，能够有效减少开关过程中的过渡损耗，提升高频工作的稳定性与效率。
UPA1C331MPD采用S-Mini小型化封装，外形尺寸紧凑，典型尺寸约为1.6mm x 1.6mm x 0.55mm，支持自动化贴片生产，符合现代电子产品微型化趋势。该封装还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可将芯片热量有效地传递至PCB，增强整体散热能力。
器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。此外，内置一定的ESD保护机制，提高了器件在装配和使用过程中的抗干扰能力，减少了因静电放电导致损坏的风险。
总体而言，UPA1C331MPD是一款集高效、小型、可靠于一体的MOSFET器件，凭借其优良的电气特性和封装优势，成为众多低功率开关应用中的优选方案。
UPA1C331MPD广泛应用于多种低电压、低功耗的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，常用于电池供电系统的电源开关控制，例如在移动设备中实现不同功能模块的上电与断电管理，以达到节能目的。其低导通电阻和快速响应特性使其非常适合用于负载开关电路，能够有效防止启动时的浪涌电流对系统造成冲击。
在DC-DC转换器拓扑结构中，如降压（Buck）或升压（Boost）变换器，UPA1C331MPD可用作同步整流开关或主开关元件，帮助提升转换效率并减小整体体积。由于其具备良好的高频响应能力，因此在高频率开关电源设计中表现优异。
此外，该器件也常用于LED背光驱动电路中，作为恒流调节或开关控制元件，实现对亮度的精确控制。在小型电机驱动应用中，如微型风扇或振动马达的控制，UPA1C331MPD也能胜任低功率H桥或单边驱动任务。
在通信模块和传感器供电管理中，该MOSFET可用于实现按需供电的“Always-On”与“Sleep Mode”切换，延长设备续航时间。其小型封装也使其适用于空间受限的物联网终端、智能家居设备和无线耳机等产品中。
综上所述，UPA1C331MPD因其高性能和小尺寸特点，被广泛部署于各类需要高效能、低功耗、小体积功率开关的现代电子设备中。
RN2002X
AO3400
Si2302DDS
FDG330N
