型号：UPA1C102MPD3
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：6.4A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：25A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻 RDS(on) Max：8.5mΩ @ VGS=4.5V；10.5mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：典型值0.7V，范围0.4V~1.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值500pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值190pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值50pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值6.5nC @ VDS=10V, ID=3.2A
　　功耗（Pd）：最大2W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-MPD（Surface Mount Power Package）
　　引脚数：3
　　极性：N-Channel

UPA1C102MPD3具备多项关键特性，使其在低电压功率开关应用中表现出色。首先，该器件具有非常低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时最大仅为8.5mΩ，在VGS=2.5V时也仅为10.5mΩ，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，特别适用于电池供电设备中对能效要求较高的场合。其次，该MOSFET支持逻辑电平驱动，可在2.5V至4.5V的栅极电压下正常工作，因此可以直接由微控制器或逻辑IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。此外，其阈值电压较低且分布集中，典型值为0.7V，保证了器件在低输入信号下也能可靠开启，增强了系统的响应速度和稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的开关性能。得益于较小的输入电容（Ciss=500pF）、输出电容（Coss=190pF）和极低的栅极电荷（Qg=6.5nC），UPA1C102MPD3能够实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频DC-DC转换器等需要快速动态响应的应用场景。同时，低反向传输电容（Crss=50pF）有助于抑制米勒效应，提升器件在高dv/dt环境下的抗干扰能力，防止误触发。
　　从封装角度看，S-MPD是一种小型化表面贴装功率封装，具有良好的热传导性能和机械强度。尽管体积小巧，但该封装通过优化内部引线布局和散热路径设计，实现了较高的功率密度和热稳定性，能够在有限的安装空间内有效散发热量，延长器件寿命。此外，UPA1C102MPD3的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在高温环境下仍能稳定运行，满足工业级应用的需求。最后，该器件符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，适合绿色电子产品制造。

UPA1C102MPD3广泛应用于多种低压、高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关与电源路径管理模块，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或电源隔离。在DC-DC降压转换器（Buck Converter）或同步整流电路中，该MOSFET可作为低边开关使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。此外，它也常用于电机驱动电路中，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动结构中作为开关元件，提供快速响应和精确控制。
　　在电池管理系统（BMS）中，UPA1C102MPD3可用于充放电回路的通断控制，配合保护IC实现过流、过温等异常状态下的自动切断功能，保障电池安全。由于其支持逻辑电平驱动，因此非常适合与微控制器、FPGA或专用电源管理IC直接接口，广泛用于嵌入式系统中的电源排序与上电时序控制。另外，在LED驱动电路中，该器件可用于恒流调节或PWM调光开关，凭借其快速开关能力和低导通压降，有助于提升亮度控制精度并减少发热。
　　工业自动化设备中的传感器电源控制、继电器驱动以及各类低功率开关电源（SMPS）模块也是其常见应用领域。由于S-MPD封装体积小且便于自动化贴装，因此特别适合高密度PCB布局的设计需求。综上所述，UPA1C102MPD3是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适用于各种对空间、效率和成本敏感的现代电子系统。

UPA1H102MPC-E1-F
　　UPA1C102MPC-E1-F
　　Si2302DDS
　　AO2403
　　FDG330N