型号：UPA1A392MHD
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGSS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：19.2A
　　导通电阻(RDS(on))：26mΩ @ VGS=10V, ID=2.4A
　　导通电阻(RDS(on))：32mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.4A
　　栅极电荷(Qg)：7.8nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：410pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：HVSOF-5B

UPA1A392MHD具备出色的导通性能和开关特性，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为26mΩ，这显著降低了在大电流通过时的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性尤其适用于电池供电设备，能够有效延长续航时间。此外，在VGS=4.5V的较低驱动电压下，RDS(on)也仅达到32mΩ，表明该器件即使在使用逻辑电平输出驱动时也能保持良好的导通状态，无需额外的电平转换或升压电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型技术制造，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力。其结构设计还增强了热传导性能，使器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度，从而避免因过热导致的性能下降或失效。HVSOF-5B封装不仅体积小巧，还具备优良的散热能力，底部带有暴露焊盘，可通过PCB地层进行有效散热，进一步提升热管理效率。
　　UPA1A392MHD具有较低的栅极电荷（Qg=7.8nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有利于减少驱动IC的负担并提升开关频率。配合较低的输入电容（Ciss=410pF），使得该器件非常适合高频开关应用，如同步整流、降压变换器等，有助于减小外围滤波元件的尺寸，进而缩小整体电源模块的体积。
　　该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳健的栅氧化层设计，能够在实际装配和运行环境中抵御一定的电压冲击。其反向恢复时间短（trr=18ns），在半桥或同步整流拓扑中可减少体二极管的反向恢复损耗，防止误导通现象，提高系统可靠性。综合来看，UPA1A392MHD在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于现代高密度电源设计的理想选择。

UPA1A392MHD广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，例如智能手机和平板电脑的电池充电回路、负载开关控制以及背光驱动电路。在这些设备中，该MOSFET可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机和动态电源管理。
　　在DC-DC转换器领域，特别是降压（Buck）转换器中，UPA1A392MHD可作为同步整流开关使用，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提升转换效率。由于其快速的开关响应能力和低栅极驱动需求，特别适合用于高频工作的开关电源设计，有助于减小电感和电容等外围元件的尺寸，从而实现更高的功率密度。
　　此外，该器件也适用于电机驱动、LED驱动电源以及各种嵌入式系统的电源开关控制。在工业控制和家用电器中，可用于小型继电器替代方案或固态开关，提供更长的使用寿命和更高的响应速度。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）确保了在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于汽车电子中的非引擎舱应用，如车载信息娱乐系统或车身控制模块的低压电源管理。
　　由于其HVSOF-5B封装的小型化特点，UPA1A392MHD也非常适合用于空间受限的高密度PCB布局，如可穿戴设备、TWS耳机充电仓、物联网传感器节点等新兴应用领域。在这些产品中，对元器件的尺寸、功耗和热性能都有极高要求，而UPA1A392MHD恰好能满足这些关键指标。因此，它已成为众多工程师在进行低电压、中等电流功率开关设计时的优选器件之一。

UPA1H392MHD
　　DMG3415U
　　AO3400