型号：UPA1A182MPD6
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.2A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
　　最大功耗（Pd）：1W
　　输入电容（Ciss）：320pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Cres）：40pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (相当于DFN1006)
　　通道数：单通道
　　极性：增强型
　　栅极驱动电压推荐：4.5V ~ 12V

UPA1A182MPD6具备多项关键特性，使其在低电压、高效率的功率开关应用中表现出色。
　　首先，该MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为27mΩ（在Vgs=4.5V条件下），这意味着在导通状态下能够显著减少I2R损耗，提高电源转换效率，尤其适用于对功耗敏感的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和无线耳机等。其次，其较低的栅极阈值电压（Vgs(th)范围为0.6V至1.0V）使得器件可以在较低的控制信号电压下实现快速开启，兼容3.3V或更低逻辑电平的驱动电路，无需额外的电平转换器即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。
　　第三，UPA1A182MPD6拥有出色的电容特性，输入电容（Ciss）为320pF，反向传输电容（Cres）为40pF，在高频开关应用中能有效降低驱动损耗并减少噪声耦合，提升系统的EMI性能。同时，其快速的开关响应时间——开启延迟约8ns，关断延迟约15ns，确保了在高频DC-DC变换器中实现高效稳定的能量传递。
　　此外，该器件采用S-Mini小型封装，尺寸紧凑（通常为1.0mm x 0.6mm级别），不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感和电阻，进一步增强了高频性能。热性能方面，其最大功耗为1W，结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境。最后，产品符合AEC-Q101车规可靠性标准的部分要求，并支持无铅回流焊工艺，适用于自动化生产流程，是现代高集成度电子产品中理想的功率开关元件。

UPA1A182MPD6主要应用于需要高效、小型化功率管理解决方案的各类电子设备中。
　　在移动和便携式电子产品领域，它常用于电池供电系统的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源域的开启与关闭，利用其低Rds(on)和快速响应特性实现节能与瞬时响应。
　　在电源管理系统中，该MOSFET广泛用于同步整流型DC-DC降压转换器（Buck Converter）或升压转换器（Boost Converter）中作为主开关或整流开关，特别是在1.8V、3.3V或5V供电轨的转换环节中表现优异。
　　此外，由于其良好的开关特性和低噪声性能，也适用于LDO后置开关、热插拔电路和过流保护电路中，用于防止浪涌电流或实现电源路径选择。
　　在消费类电子产品如TWS耳机、智能手表、IoT传感器节点中，UPA1A182MPD6凭借其微型封装和低静态功耗优势，成为实现长时间待机与快速唤醒功能的关键组件。
　　工业和通信设备中，该器件可用于信号切换、电压电平转换和隔离控制电路，尤其适合空间受限但要求高可靠性的应用场景。
　　值得一提的是，该MOSFET还可用于LED驱动电路中的开关控制，配合PWM调光实现精确亮度调节，同时保持较高的能效水平。总之，UPA1A182MPD6凭借其高性能指标和小型化设计，已成为现代低电压、高密度电子系统中不可或缺的核心功率器件之一。

UPA1H182MPD6
　　DMG1012UFG-7
　　AO6406
　　FDG330N