型号：UPA0J822MHD6
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800 V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.5 A（Tc=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值7.0 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 0.75 A；最大值8.2 Ω @ Vgs = 10 V, Id = 0.75 A
　　阈值电压（Vth）：典型值3.5 V，范围2.5 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值29 pF @ Vds = 400 V, Vgs = 0 V
　　输出电容（Coss）：典型值15 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值1.1 pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值10 nC @ Vds = 600 V, Id = 1.5 A, Vgs = 10 V
　　上升时间（tr）：典型值27 ns
　　下降时间（tf）：典型值18 ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值230 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：HZIP

UPA0J822MHD6采用了罗姆专有的超级结（Super Junction）技术，这项技术通过在漂移区创建交替的P型和N型柱状结构，显著降低了单位面积的导通电阻，同时维持了高击穿电压能力。这种结构使得器件在800V额定电压下仍能保持较低的Rds(on)，从而减少功率损耗并提高能效。该MOSFET的栅极设计优化了电荷分布，有效降低了栅极驱动所需的能量，提升了开关速度并减少了开关过程中的能量损耗。此外，其较宽的栅源电压容限（±30V）增强了对电压瞬变和噪声干扰的抗扰度，避免因过压导致的栅氧击穿，提高了系统稳定性。
　　该器件具备出色的热性能，得益于HZIP封装内置的散热片结构，能够将内部产生的热量高效传导至PCB或外部散热器，防止局部过热引发的性能下降或失效。其热阻（Rth(j-c)）较低，确保在高负载条件下仍可稳定运行。UPA0J822MHD6还表现出优异的雪崩能量承受能力，在意外电压尖峰或电感负载断开时能有效吸收能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。体二极管经过特别优化，虽不具备超快恢复特性，但在多数硬开关拓扑中表现可靠，且反向恢复行为可控，不会引发严重的电压振荡问题。
　　该MOSFET的设计充分考虑了电磁兼容性（EMC），其寄生参数如输入、输出和反向传输电容均控制在合理范围内，有助于减少高频噪声的产生与传播，适合用于对EMI敏感的应用场景。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和湿度敏感等级（MSL1）评估，确保长期使用中的稳定性。AEC-Q101认证进一步证明其适用于车载空调、车灯驱动、车载充电器等汽车电子系统，满足汽车行业对寿命、温度循环和振动耐受性的严苛要求。

UPA0J822MHD6广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其适合需要高效率和小体积设计的场合。在离线式反激变换器（Flyback Converter）中，该MOSFET常被用作主开关管，用于AC-DC电源适配器、电视电源板和工业控制电源模块中，其800V耐压能力足以应对整流后市电的峰值电压，并具备足够的安全裕量。在PFC（功率因数校正）升压电路中，它也可作为开关元件，帮助提升系统功率因数并降低谐波失真，满足能源效率法规要求。
　　在LED照明驱动电源中，UPA0J822MHD6可用于隔离式或非隔离式恒流源设计，提供稳定的能量转换效率，延长灯具使用寿命。由于其良好的热管理和低损耗特性，特别适用于大功率LED路灯、商业照明和户外照明系统。在家电领域，该器件可用于变频空调、洗衣机和冰箱中的电机驱动电路或辅助电源单元，支持节能模式运行。
　　此外，在工业自动化设备、智能电表、UPS不间断电源和充电桩的辅助电源部分，该MOSFET也展现出良好的适应性。其汽车级认证使其成为车载逆变器、车载信息娱乐系统电源和电动汽车附属设备的理想选择。由于其封装便于安装散热片，因此在空间受限但散热需求高的应用场景中更具优势。无论是固定设备还是移动平台，UPA0J822MHD6都能提供可靠的开关性能和长久的使用寿命。

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