时间：2025/10/7 5:10:58
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UPA0J152MPD3是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用紧凑型表面贴装封装（通常为S-Mini或类似小型封装），专为高效率、低功耗应用设计。该器件适用于需要在低电压下实现高开关速度和低导通电阻的便携式电子设备和电源管理系统。UPA0J152MPD3的命名遵循Rohm的标准MOSFET命名规则，其中'U'代表MOSFET，'P'表示功率型，'A'为系列标识，'0J'代表特定的工艺与通道类型，'152'表示额定电压等级（约15V），'M'可能代表特定性能等级，'PD3'则指代其封装形式和内部结构优化。该MOSFET广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电系统以及需要快速响应和低静态功耗的应用场景。由于其优异的热稳定性和可靠性，UPA0J152MPD3也适合在空间受限但要求高性能的工业和消费类电子产品中使用。
型号：UPA0J152MPD3
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：15 V
最大连续漏极电流（Id）：1.7 A
栅源阈值电压（Vgs(th)）：典型值0.65 V，最大值1.0 V
导通电阻（Rds(on)）：在Vgs = 4.5V时，最大值为0.15 Ω；在Vgs = 2.5V时，最大值为0.22 Ω
栅极电荷（Qg）：典型值3.8 nC
输入电容（Ciss）：典型值220 pF
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：S-Mini（双引脚表面贴装）
功率耗散（Pd）：最大150 mW（受封装热阻限制）
UPA0J152MPD3具备多项关键特性，使其在低电压、小电流应用场景中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体能效，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。该MOSFET的栅极阈值电压较低，通常在0.65V左右即可开始导通，使其能够与低压逻辑信号（如1.8V或3.3V微控制器输出）直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
其次，UPA0J152MPD3采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，优化了载流子迁移路径，提升了单位面积的电流承载能力，同时减小了芯片尺寸，有助于实现更小型化的模块设计。其S-Mini封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热，保证器件在长时间运行中的稳定性。
此外，该器件具有出色的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得它在高频开关应用中（如同步整流或脉宽调制控制）能够快速响应，减少开关延迟和能量损耗。其耐受过压和瞬态电流的能力经过优化，在正常工作条件下具备较高的鲁棒性。最后，UPA0J152MPD3符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于对环境要求严格的工业和消费电子产品。
UPA0J152MPD3广泛应用于多种低功率电子系统中。在便携式设备领域，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理单元，作为负载开关或电池保护电路中的控制元件，实现对外设电源的高效通断控制。在DC-DC转换器中，尤其是升压或降压拓扑结构中，该MOSFET可用于同步整流或开关节点控制，提升转换效率并降低发热。
此外，它也被集成于各类主板、嵌入式系统和物联网（IoT）模块中，用于信号切换、电源域隔离和多路电源选择。在消费类电子产品如无线耳机、智能手环、电子书阅读器等对空间和功耗极为敏感的产品中，UPA0J152MPD3凭借其小封装和低静态功耗优势成为理想选择。
工业应用方面，该器件可用于传感器供电控制、PLC输入/输出模块、低功耗继电器驱动电路等场景。由于其工作温度范围宽，也可适应较为严苛的环境条件。在LED驱动电路中，UPA0J152MPD3可用于控制小功率LED的亮灭或调光功能，配合PWM信号实现精确亮度调节。总体而言，任何需要在15V以下电压环境中实现高效、快速、低功耗开关控制的应用，均可考虑使用UPA0J152MPD3作为核心开关元件。
DMG2302UK-7
FDS6670AZ
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