型号：UP9T15GP-TN3-R
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.5A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@ VGS = -4.5V）；40mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@ VDS=10V）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini3（SOT-769B）

UP9T15GP-TN3-R具备优异的电气性能和热稳定性，特别适合用于低压直流电源管理系统中的开关控制。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS = -4.5V条件下RDS(on)仅为28mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能源利用效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长设备的工作时间。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如-2.5V）下仍能保持良好的导通特性（RDS(on) = 40mΩ），兼容现代低电压逻辑信号控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET采用先进的沟槽式制造工艺，优化了载流子迁移路径，提升了器件的开关速度和电流处理能力。快速的开关响应减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高高频开关应用中的整体效率。此外，其内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，可在某些瞬态条件下提供保护作用，尽管不推荐用于高频整流场合。
　　在可靠性方面，UP9T15GP-TN3-R经过严格的测试和验证，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应严苛的工业与消费级应用环境。器件还具备良好的抗静电能力（ESD）和过温耐受性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。S-Mini3小型化封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频性能和散热效率。这种封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化大批量生产。

UP9T15GP-TN3-R主要应用于需要高效、小型化电源开关的各类电子设备中。典型用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关，例如智能手机和平板电脑中的屏幕背光控制、摄像头模块供电管理以及外设电源切换等场景。由于其P沟道特性，常被用作高边开关（High-side Switch），在电池供电系统中实现对负载的精确上电与断电控制，防止漏电和短路风险。
　　在电源管理单元（PMU）或DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流或电源路径选择，提升转换效率并减少外部元件数量。此外，它也适用于过压/欠压保护电路、热插拔控制器以及USB端口的电源开关，确保数据接口的安全供电。
　　工业领域中，UP9T15GP-TN3-R可用于传感器模块、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模块）的电源启停控制，实现按需供电以降低待机功耗。在可穿戴设备如智能手表、健康监测设备中，其低功耗特性和小尺寸封装使其成为理想选择。同时，该器件也可用于LED驱动电路中的开关调节，配合PWM信号实现亮度控制。
　　得益于其良好的温度稳定性和可靠性，UP9T15GP-TN3-R还可应用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统的辅助电源管理、车内照明控制等低温差环境下工作的模块。总之，凡是需要低电压、低功耗、小体积P沟道MOSFET的应用，该器件均表现出色。

DMG2301U-7
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