型号：UP9T15G-TN3-R
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（@ VGS = -4.5V）；85mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.4V ~ -1.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值6.5nC
　　输入电容（Ciss）：约350pF
　　功耗（Pd）：500mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

UP9T15G-TN3-R具备多项关键特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）是该器件的核心优势之一。在VGS = -4.5V条件下，RDS(on)仅为65mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下仍能保持85mΩ的低阻值，这意味着在实际应用中即使供电电压较低（如3.3V或更低系统），也能实现较小的导通损耗，提升电源效率。这一特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构通过垂直导电通道设计，显著提高了单位面积的载流能力，同时降低了寄生电阻和电容，从而改善了开关速度和热性能。沟槽工艺还增强了器件的雪崩耐量和长期可靠性，适合在瞬态负载变化频繁的应用场景中稳定运行。
　　再者，UP9T15G-TN3-R具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为6.5nC，这直接减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，并允许更快的开关切换，适用于高频开关电源设计。同时，其输入电容（Ciss）约为350pF，有助于减少高频噪声耦合，提升系统的EMI性能。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.4V至-1.0V，属于较窄且稳定的区间，确保了器件在不同批次间具有一致的开启特性，便于批量生产中的电路设计与调试。此外，它支持-55°C至+150°C的宽工作温度范围，可在严苛环境下稳定工作，满足工业级和消费级产品的多样化需求。
　　最后，SOT-23小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合合理的布局设计可有效传导热量。器件符合RoHS和无卤素标准，支持现代环保制造要求。综合这些特性，UP9T15G-TN3-R在负载开关、电源多路复用、反向电流阻断等应用中表现优异。

UP9T15G-TN3-R广泛应用于多种低电压、小功率的电源管理系统中。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同模块的电源通断，例如在智能手机中控制显示屏、摄像头或传感器模块的供电，实现按需供电以降低待机功耗。由于其P沟道特性，适合高边开关配置，无需复杂的驱动电路即可实现正电压控制，简化了系统设计。
　　在电池供电系统中，该器件常用于电池反接保护和充放电管理电路中，防止因电池安装错误导致的设备损坏。其低导通电阻确保在正常工作时压降小，减少能量损耗，提高整体能效。
　　此外，UP9T15G-TN3-R也适用于DC-DC转换器的同步整流或开关控制部分，尤其是在升压或降压拓扑中作为辅助开关使用。在低压逻辑电平转换电路中，它可用于电平移位和信号开关，实现不同电压域之间的安全通信。
　　在物联网终端、可穿戴设备、无线传感器节点等对体积和功耗敏感的应用中，该MOSFET凭借其小封装、低功耗和高可靠性成为理想选择。同时，由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，也可用于工业控制板、家电控制模块和电源多路复用系统中，执行电源切换或冗余电源管理功能。总之，凡是需要高效、紧凑、可靠的P沟道开关解决方案的场合，UP9T15G-TN3-R都能提供稳定支持。

DMG2305UX-7
　　SI2301ADS-S17-ND
　　FDC6300P
　　MMBT3906