UP2003L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:34:12 阅读：11

UP2003L-TN3-R是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用而设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备卓越的热稳定性和电气性能，适用于高温、高压及高开关频率的工作环境。UP2003L-TN3-R封装形式为TO-252（D-Pak），具有良好的散热能力和机械稳定性，广泛应用于开关电源、光伏逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动以及不间断电源（UPS）等高功率密度场合。该产品符合RoHS环保要求，并通过了多项可靠性测试，确保在严苛工况下的长期稳定运行。其低反向漏电流和无反向恢复电荷的特性显著降低了开关损耗，提升了系统整体能效。此外，该器件不含有害物质，支持无铅回流焊工艺，适合现代自动化表面贴装生产流程。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　极性：单通道
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均整流电流（IO）：3A
　　正向压降（VF）：典型值1.45V @ 3A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：≤ 200μA @ 650V, 25°C；≤ 5mA @ 650V, 175°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)
　　安装类型：表面贴装型
　　热阻（RθJC）：约3.5°C/W

特性

UP2003L-TN3-R的核心优势在于其基于6H-SiC半导体材料的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了少数载流子的存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr = 0），从而在高频开关应用中大幅减少了开关损耗和电磁干扰（EMI）。与传统的硅快恢复二极管或超快恢复二极管相比，该器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出更优的动态性能。其正向导通压降较低，在额定电流3A下仅为1.45V左右，有效降低了导通损耗，提高了电源系统的转换效率。
　　该器件具有出色的高温工作能力，最高结温可达175°C，远高于传统硅器件的150°C限制，使其能够在高温环境下持续稳定运行而无需额外的散热措施。同时，其反向漏电流在常温下控制在200μA以内，在175°C高温时仍保持在5mA以下，表现出良好的热稳定性。这一特性对于光伏逆变器和车载电源等需要全天候运行的应用尤为重要。
　　UP2003L-TN3-R的TO-252封装具备优良的热传导性能，底部金属片可直接焊接至PCB散热焊盘，实现高效热管理。该封装还具有较高的机械强度和抗热循环能力，适合在振动和温度剧烈变化的工业环境中使用。此外，器件内部无金-铝接触层，避免了长期工作下的“紫斑”失效问题，提升了长期可靠性。产品经过严格的出厂测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等可靠性试验，确保批量一致性与长期稳定性。

应用

UP2003L-TN3-R因其优异的电气和热性能，广泛应用于各类高效率电力转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于PFC（功率因数校正）升压级的续流二极管，利用其零反向恢复特性提升能效并降低EMI噪声。在光伏（PV）逆变器系统中，该器件可用于直流侧防反二极管或MPPT电路中的整流元件，提高系统在高温环境下的可靠性和发电效率。在电动汽车领域，UP2003L-TN3-R可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器中，满足新能源汽车对高功率密度和高可靠性的严苛要求。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动器中的续流保护电路、不间断电源（UPS）中的输出整流模块，以及高密度服务器电源和通信电源等高端电源设备。由于其宽温区工作能力和高耐压特性，特别适合部署在密闭空间或自然冷却条件下的应用场景。在铁路牵引系统和储能系统中，UP2003L-TN3-R也能发挥其高可靠性和长寿命的优势，减少系统维护成本并提升整体可用性。