工作电压范围：4.5V ~ 30V
　　启动电流：＜50μA
　　静态工作电流：＜1.2mA
　　最大驱动电流：300mA（源/灌）
　　关断阈值电压（VDS下降沿触发）：典型70mV
　　导通阈值电压（VDS上升沿抑制）：典型200mV
　　前沿消隐时间：约300ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　结温范围：-40°C ~ +150°C
　　输出驱动方式：图腾柱（推挽）
　　封装类型：SOT-23-6

UP0109PSW8的核心特性之一是其基于VDS检测的智能同步整流控制逻辑，能够精准识别功率MOSFET的导通与关断状态，避免误触发导致的体二极管导通或直通短路风险。该芯片采用自供电架构，无需外部辅助绕组即可从输出端取电，简化了变压器设计并降低了系统成本。其内置的前沿消隐电路有效滤除开关节点在MOSFET关断瞬间产生的电压尖峰干扰，防止因噪声引起的误动作，提升了系统的EMI性能和可靠性。此外，UP0109PSW8具备快速响应能力，驱动信号延迟时间短，确保SR MOSFET在最佳时机开启和关闭，最大限度地减少导通损耗和反向恢复损耗。芯片还集成了欠压锁定（UVLO）功能，在系统上电或异常掉电过程中自动禁用输出驱动，防止MOSFET工作于非饱和区造成过热损坏。温度保护方面，当芯片结温超过设定阈值时会自动进入热关断模式，待温度回落后再恢复正常工作，实现自我保护。值得一提的是，UP0109PSW8支持连续导通模式（CCM）、准谐振模式（QR）和断续导通模式（DCM）等多种反激拓扑工作模式，兼容性强，适用于多种PWM控制器搭配使用。其低静态电流设计特别适合待机功耗要求严格的能效标准，如Energy Star、DoE Level VI等认证产品。整体而言，UP0109PSW8以其高集成度、高可靠性和优异的能效表现，成为现代高效绿色电源解决方案中的关键元件之一。
　　在实际应用中，UP0109PSW8展现出良好的动态适应能力，即使在负载突变或输入电压波动的情况下，依然能保持稳定的同步整流控制性能。其图腾柱输出级提供了较强的驱动能力，可直接驱动低栅极电荷（Qg）的N沟道MOSFET，减少外加驱动电路的需求。同时，芯片对PCB布局的敏感性较低，有利于工程师进行快速设计和调试。由于采用了无光耦反馈的原边控制兼容设计，UP0109PSW8常用于初级侧反馈的反激电源中，进一步降低系统复杂度和元件数量。综合来看，该芯片不仅提升了电源的整体效率（通常可比二极管整流方案提升2%~5%），还改善了热管理表现，延长了终端产品的使用寿命。

UP0109PSW8主要应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其是在追求高能效和紧凑设计的场合。典型应用包括手机、平板电脑、笔记本电脑的USB充电器与AC适配器，其中作为次级侧同步整流控制器显著提升转换效率并降低发热。此外，该芯片也广泛用于智能家居设备电源模块，如路由器、智能音箱、监控摄像头等嵌入式供电单元。在LED照明领域，特别是隔离式LED驱动电源中，UP0109PSW8可用于实现高PF值和低THD的高效恒流输出设计。工业类应用方面，适用于小型工业电源模块、仪器仪表电源、IoT网关供电系统等对可靠性和长期稳定性要求较高的环境。由于其宽温工作能力和良好的抗干扰性能，该芯片也可用于车载电子产品中的低压转高压DC-DC电源次级整流控制。在消费类电子产品的待机电源或辅助电源设计中，UP0109PSW8凭借其低静态功耗优势，有助于满足日益严格的全球能效法规要求。另外，配合合适的PWM主控芯片，它还可用于多路输出电源系统中的主路或辅路同步整流控制，优化各路交叉调整率和整体效率表现。总之，凡是采用反激式拓扑且需要提高次级整流效率的应用场景，UP0109PSW8均是一个极具竞争力的技术选择。

AP4377M
　　MP6908A
　　SCT2008A
　　SYN109P