UNAT-12+ 时间：2025/12/28 13:34:15 阅读：18

UNAT-12+ 是一款由 United Monolithic Semiconductors（UMS）制造的 GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器（LNA），适用于高频和微波频段的应用。该器件在 12 GHz 频率范围内提供优异的低噪声性能和高增益，广泛用于通信系统、雷达、测试设备和其他微波应用中。UNAT-12+ 采用 4x4 mm 的表面贴装封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适用于各种高频电路设计。

参数

工作频率：10 MHz - 12 GHz
　　噪声系数：0.55 dB（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　输出三阶交调点（OIP3）：+18 dBm
　　输入驻波比（VSWR）：1.3:1（最大值）
　　电源电压：3 V - 6 V
　　电流消耗：70 mA（典型值）
　　封装形式：4x4 mm 表面贴装（QFN）

特性

UNAT-12+ 是一款高性能的低噪声放大器，特别设计用于微波频段的信号放大。该器件采用 GaAs（砷化镓）工艺制造，具有出色的低噪声系数（典型值为 0.55 dB），确保在高频率下仍能保持良好的信号完整性。其增益在 10 MHz 到 12 GHz 的宽频率范围内保持稳定，典型值为 20 dB，适用于多种高频应用。
　　UNAT-12+ 的输出三阶交调点（OIP3）达到 +18 dBm，表现出较强的线性能力，能够在高信号强度下保持较低的失真水平。此外，输入驻波比（VSWR）的最大值为 1.3:1，表明其具有良好的输入匹配性能，有助于减少信号反射，提高系统稳定性。
　　该器件的工作电压范围为 3 V 至 6 V，电流消耗典型值为 70 mA，适合多种电源设计。UNAT-12+ 采用 4x4 mm 的 QFN 封装，便于集成到高密度 PCB 设计中，并具备良好的热管理和机械稳定性。

应用

UNAT-12+ 主要用于需要高性能低噪声放大的高频和微波系统。它在通信基础设施中用于射频前端放大器，以增强接收信号的强度并降低噪声影响。在雷达和测试设备中，该器件用于提高接收灵敏度，确保精确的信号检测和分析。
　　此外，UNAT-12+ 还适用于卫星通信、无线局域网（WLAN）、微波链路和电子战系统。其宽频带特性使其能够支持多种调制格式和信号标准，适应不同的系统需求。由于其紧凑的封装形式，UNAT-12+ 也适合用于便携式和高密度的电子设备中。