类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

UN4215S 具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，其最大漏源电压为 30V，能够支持中等电压范围内的多种应用，例如电池供电设备、DC-DC 转换器和马达控制器。UN4215S 的连续漏极电流可达 8A，具备较强的电流承载能力，适合中高功率负载的应用需求。
　　此外，UN4215S 采用 SOP 封装形式，具有良好的热管理和散热性能，能够在高功率运行条件下保持稳定的工作状态。其栅极驱动电压范围宽泛，通常在 4.5V 到 20V 之间均可稳定工作，这使得它兼容多种驱动电路设计，包括常见的 5V 和 12V 控制系统。
　　该 MOSFET 的高可靠性设计确保其在恶劣环境下仍能保持稳定性能，例如高温、高湿或电磁干扰较大的工业环境中。同时，其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关应用。UN4215S 的这些特性使其成为电源管理和功率控制领域的理想选择。

UN4215S 主要应用于需要高效功率控制和管理的电子系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也可用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能电源插座和智能家电中的电源管理单元。在汽车电子领域，UN4215S 可用于车载充电器、LED 照明控制系统和电动助力转向系统（EPS）中的功率开关控制。由于其具备高可靠性和良好的热稳定性，该器件也适用于对安全性和稳定性要求较高的工业控制系统和通信设备中。

Si4410BDY-T1-E3, IRF7413PBF, FDS6680, AO4406A