型号：UN1518G-AE3-R
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　器件结构：GaN-on-Si HEMT
　　漏源击穿电压（BVDSS）：650 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 2.6 V，范围 2.2 ~ 3.0 V
　　导通电阻（RDS(on)）：150 mΩ（最大值，@ VGS = 18 V, ID = 9 A）
　　连续漏极电流（ID）：18 A（@ TC = 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　栅源电压范围（VGS）：-10 V 至 +20 V
　　功耗（PD）：120 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：DFN5x6（U-MOS?）
　　引脚数：8
　　极性：N沟道
　　是否增强型：是

UN1518G-AE3-R的核心优势在于其基于GaN-on-Si技术的增强型HEMT结构，使其在高频开关应用中表现出卓越的动态性能。首先，该器件具备极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为150mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。相比传统硅MOSFET，在相同尺寸下，其导通损耗可降低30%以上，特别适用于高电流密度场景。其次，由于氮化镓材料的高电子迁移率特性，该器件拥有极快的开关速度，开关时间处于纳秒级别，大幅减少了开关过程中的能量损耗，从而支持更高的工作频率（可达MHz级）。这意味着可以使用更小的磁性元件和电容，实现电源系统的高度集成与小型化。
　　此外，UN1518G-AE3-R采用增强型设计，即在零栅极电压下器件处于关断状态，这一特性极大简化了栅极驱动电路的设计。传统耗尽型GaN器件需要负压关断或复杂的辅助电源，而UN1518G-AE3-R仅需0V至+18V的正栅压即可实现安全可靠的开关控制，兼容标准硅MOSFET驱动器，降低了系统成本和设计复杂度。其DFN5x6封装具有低寄生电感和优异的散热性能，有助于减少高频开关时的振铃现象并提升热稳定性。封装底部设有大面积裸露焊盘，可通过PCB良好接地和散热，确保长期运行的可靠性。
　　该器件还具备良好的抗dV/dt能力，能够在快速电压变化条件下保持稳定，防止误触发。同时，其栅极氧化层经过优化设计，提升了长期可靠性和耐久性，通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和功率循环测试。UN1518G-AE3-R对瞬态过压和过流也有一定的耐受能力，配合适当的保护电路可用于严苛工业环境。总体而言，该器件将高性能、易用性和高可靠性集于一身，是现代高效能电源系统中的理想选择。

UN1518G-AE3-R广泛应用于各类需要高效率、高功率密度和高频开关能力的电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，它被用于图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路中，取代传统硅器件，显著提升能效并缩小电源体积。在通信电源和电信整流器中，该器件可用于LLC谐振转换器或硬开关拓扑，满足48V转12V等中间母线架构的需求。太阳能微型逆变器和组串式逆变器也大量采用此类GaN器件，以提高光伏系统的转换效率并延长发电时间。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UN1518G-AE3-R可用于双向AC-DC和DC-DC转换级，支持高功率密度和快速充电需求。工业电机驱动、UPS不间断电源以及高端消费类适配器（如笔记本电脑氮化镓充电器）同样是其重要应用场景。得益于其高频响应能力和低损耗特性，该器件还能用于射频功率放大和激光驱动等特殊领域。随着第三代半导体技术的成熟，UN1518G-AE3-R正逐步成为替代传统超结MOSFET的关键元件，推动整个电力电子行业向更高效率和更小体积方向发展。

UCC1518G-E3-R
　　UN1560G-AE3-R
　　GS-065B151DA