类型：齐纳二极管
　　品牌：ROHM Semiconductor
　　封装/外壳：DFN1006-2 (PLP1006-2)
　　标称齐纳电压：7.5V
　　齐纳电压容差：±2%
　　最大耗散功率：200mW
　　最大齐纳电流：30mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　动态阻抗（典型值）：15Ω @ IZ=1mA
　　温度系数：+5mV/°C

UMZ7NTR齐纳二极管的核心特性之一是其高精度的电压参考能力。该器件的标称齐纳电压为7.5V，且具有±2%的严格容差控制，这意味着在标准测试条件下，实际击穿电压将保持在7.35V至7.65V之间，显著优于普通±5%容差的产品。这一特性使得UMZ7NTR特别适用于需要精密电压基准的应用场景，例如模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的参考电压源，能够有效提高数据转换系统的线性度与测量准确性。同时，其低动态阻抗（典型值15Ω @ 1mA）意味着即使负载电流发生轻微波动，输出电压的变化也非常小，从而确保电压稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的温度稳定性。UMZ7NTR采用了经过优化的半导体材料与制造工艺，使其具备较低的电压温度系数，约为+5mV/°C。这表示随着环境温度每升高一度，齐纳电压仅会上升约5毫伏，相比许多传统齐纳二极管而言变化更小，有助于减少温漂带来的误差。在宽温工作环境下（-40°C 到 +150°C），该器件仍能保持可靠的性能表现，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求高的领域。
　　UMZ7NTR采用DFN1006-2超小型封装，不仅节省PCB空间，而且具备良好的散热性能。该封装无引脚设计减少了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力，有利于在高速开关电路或噪声敏感电路中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101可靠性认证，证明其可在严苛条件下长期稳定运行。其最大功耗为200mW，在适当散热条件下可支持持续工作电流达30mA，满足大多数低功耗嵌入式系统的需求。综合来看，UMZ7NTR是一款集高精度、小尺寸、高可靠性和良好热稳定性于一体的现代齐纳二极管，适用于多种精密电子系统设计。

UMZ7NTR齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压参考的小型化电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，它常被用作电源管理单元中的电压监测点，配合比较器实现电池电量检测或过压保护功能。由于其体积小巧且功耗低，非常适合集成在高度集成的主板或柔性电路板上。
　　在工业自动化与传感系统中，UMZ7NTR可用于构建精密的电压基准源，为运算放大器、电压比较器或模数转换器提供稳定的参考电压，从而提升传感器信号采集的准确性和重复性。例如，在压力传感器、温度变送器或电流检测电路中，该器件可以作为反馈回路的一部分，帮助维持系统工作的稳定性。
　　在汽车电子领域，得益于其通过AEC-Q101车规认证，UMZ7NTR可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、电机驱动电路或电池管理系统（BMS）中，执行电压钳位、ESD保护或电源监控任务。其宽工作温度范围（-40°C 至 +150°C）确保在极端气候条件下仍能可靠运行。
　　此外，该器件也可用于通信模块、无线传感器网络节点、IoT设备以及医疗电子设备中，作为低功耗稳压元件或电平转换参考。在开关电源（SMPS）反馈环路中，UMZ7NTR可辅助调节输出电压；在LDO稳压器的设计中，也可作为外部参考源以提升输出精度。总之，凡是需要微型化、高精度和高可靠性的电压控制场合，UMZ7NTR都是一个理想选择。

MMAZ75T1G
　　MMBZ5238BLT1G
　　BZT52C7V5