类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-523
　　漏源电压（V_DS）：60V
　　栅源电压（V_GS）：±20V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：100mA
　　脉冲漏极电流（I_DM）：400mA
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V：6.5Ω
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=4.5V：8.5Ω
　　栅极阈值电压（V_GS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（C_iss）：13pF
　　输出电容（C_oss）：5pF
　　反向传输电容（C_rss）：0.8pF
　　开启延迟时间（t_d(on)）：5ns
　　关断延迟时间（t_d(off)）：10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻（R_θJA）：450K/W

UMZ27N具备出色的开关特性，能够在极短的时间内完成导通与关断动作，有效减少开关损耗，提升系统整体能效。其开启延迟时间仅为5ns，关断延迟时间为10ns，配合低至13pF的输入电容，使得该器件非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器中的同步整流或高速逻辑信号切换。这种快速响应能力确保了在动态负载变化下仍能维持稳定的输出性能。
　　该器件的低导通电阻是其核心优势之一。在V_GS=10V时，R_DS(on)典型值为6.5Ω；即使在较低的驱动电压（如4.5V）下，也能保持8.5Ω的良好表现。这使得UMZ27N能在有限的驱动条件下依然实现高效的能量传递，减少发热，提高系统的长期运行可靠性。对于需要频繁启停或处于待机模式的设备而言，这一点尤为重要。
　　UMZ27N的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，意味着它可以由3.3V甚至更低的逻辑电平直接驱动，兼容现代微控制器和数字IC的输出电平，无需额外的驱动级电路。这一特性不仅节省了外围元件数量，还减少了PCB面积占用，有利于实现更紧凑的产品设计。
　　在热性能方面，尽管SOT-523封装体积小巧，但通过优化芯片结构和封装材料，UMZ27N仍能提供可接受的热阻表现（R_θJA=450K/W）。在合理布局和适当散热设计的前提下，能够满足大多数中低功率应用场景的需求。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。
　　此外，UMZ27N具有良好的抗噪声干扰能力和较高的输入阻抗，能够有效避免误触发，提升系统稳定性。内置的体二极管也可在某些拓扑结构中起到续流作用，进一步扩展了其应用灵活性。综合来看，UMZ27N是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的MOSFET器件，特别适合用于现代便携式电子产品和高密度集成系统中。

UMZ27N常用于便携式消费类电子产品中的电源开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的背光驱动、摄像头模块供电管理以及传感器电源启停控制。其低功耗特性和小型封装使其成为电池供电系统的理想选择，有助于延长设备续航时间并减小整体体积。
　　在通信设备中，UMZ27N可用于射频开关、天线调谐电路或信号路径选择，利用其快速开关能力和低插入损耗来保证信号完整性。同时，它也可作为逻辑电平转换器的一部分，在不同电压域之间实现信号传递，例如将1.8V逻辑信号转换为3.3V系统可识别的电平。
　　在工业自动化和嵌入式控制系统中，UMZ27N被广泛应用于继电器驱动、LED指示灯控制、传感器接口电路以及微控制器I/O扩展。由于其具备较强的抗干扰能力和宽温工作特性，能够在电磁环境复杂或温度波动较大的现场环境中稳定运行。
　　此外，该器件还可用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流开关，尤其是在轻负载条件下表现出优异的效率。配合PWM控制器，UMZ27N可以实现高效的电压调节功能，适用于电源管理单元（PMU）或电池充电管理电路。
　　在测试测量仪器和医疗电子设备中，UMZ27N也常用于精密信号切换和通道选择电路，凭借其低漏电流和高隔离度，确保测量结果的准确性和系统的安全性。总的来说，UMZ27N的应用覆盖了从消费电子到工业控制等多个领域，是一款通用性强、适用范围广的小信号MOSFET器件。

FMMT27N
　　PMEG27PN
　　DMG27N