UMZ-1601-A16-G 时间：2025/8/16 6:51:40 阅读：20

UMZ-1601-A16-G是一款表面贴装型的射频开关芯片，适用于需要高频信号切换的应用场景。该器件由UMS（United Monolithic Semiconductors）公司制造，采用先进的GaAs（砷化镓）工艺技术，支持高频率操作，具有低插入损耗和高隔离度的特点。UMZ-1601-A16-G通常工作在16引脚的QFN（四方扁平无引脚）封装中，适用于自动贴片设备，适合在空间受限的电路板设计中使用。

参数

工作频率范围：DC至16 GHz
　　插入损耗：典型值0.4 dB（在10 GHz时）
　　隔离度：典型值25 dB（在10 GHz时）
　　回波损耗：典型值20 dB（在10 GHz时）
　　供电电压：+5V或+3.3V可选
　　控制信号：TTL/CMOS兼容
　　封装类型：16引脚QFN
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

UMZ-1601-A16-G射频开关芯片具备出色的射频性能和稳定的电气特性。该器件采用了先进的GaAs pHEMT工艺，能够支持高达16 GHz的工作频率，适用于微波通信、测试设备和射频前端模块等高频应用。其插入损耗较低，保证了信号在传输过程中的最小衰减，同时具备良好的隔离度，有效防止不同信号路径之间的干扰。此外，该芯片的输入控制信号兼容TTL和CMOS电平，便于与各种数字控制系统连接。UMZ-1601-A16-G还具备宽广的工作温度范围，适合在工业级环境中使用。其16引脚QFN封装设计不仅节省空间，还支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和可靠性。
　　该芯片在设计上优化了射频信号的路径，使得其在高频下的性能更加稳定。在10 GHz频率点，插入损耗典型值为0.4 dB，回波损耗约为20 dB，隔离度可达25 dB以上，确保了信号的高保真传输。UMZ-1601-A16-G可以通过简单的数字控制信号实现多个射频通道之间的快速切换，响应时间短，适合需要动态调整信号路径的应用。其低功耗设计也使其适用于电池供电设备或对热管理有严格要求的系统中。

应用

UMZ-1601-A16-G广泛应用于各种射频和微波系统中，包括无线通信设备、雷达系统、测试与测量仪器、射频前端模块、频率合成器、天线切换系统以及工业控制设备。由于其高频性能优异，特别适合用于5G通信基础设施、卫星通信、航空航天电子系统以及高端射频测试设备中的信号路径切换。其紧凑的QFN封装也使其成为便携式设备和高密度电路设计中的理想选择。