时间：2025/6/4 10:28:09
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UMX5NTR是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。由于其优良的电气性能，UMX5NTR被广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
该MOSFET采用小型化的表面贴装封装形式，具体为SOT-23封装，使其非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（典型值，在1.7Ω
总功耗：420mW
结温范围：-55℃至150℃
UMX5NTR具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量转换，减少功率损耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB板空间。
4. 高度稳定的电气性能，能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. 内置反向二极管结构，提供额外的保护功能。
这些特点使UMX5NTR成为各种电子设备中理想的开关元件选择。
UMX5NTR因其卓越的性能而被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. 小型电机驱动电路。
5. 便携式设备中的信号切换。
在所有这些应用中，UMX5NTR凭借其高效、紧凑和可靠的特点发挥了重要作用。
AO3400
IRLML6402
FDMQ8203
