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UMX4NTR 发布时间 时间:2025/12/25 10:38:56 查看 阅读:32

UMX4NTR是一种由Nexperia公司生产的通用小信号N沟道MOSFET,采用SOT750(DFN1006-3)超小型表面贴装封装。该器件专为在空间受限的便携式电子设备中进行开关和放大应用而设计,具有低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性等特点。由于其微型化封装,UMX4NTR非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网模块和其他对尺寸敏感的应用场景中。该MOSFET基于成熟的硅工艺制造,具备良好的热稳定性和电气性能,在待机模式下能够有效降低功耗,提升系统能效。此外,UMX4NTR符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101汽车级认证,表明其可在较宽温度范围内稳定工作,适用于消费类电子及部分工业与车载环境。
  该器件的栅极阈值电压适中,便于与现代低电压逻辑接口(如1.8V或3.3V控制系统)直接驱动兼容,无需额外电平转换电路。其结构设计优化了寄生参数,减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体效率。同时,DFN1006-3封装提供了优异的散热性能,尽管体积微小但仍能承受一定的持续电流负载。UMX4NTR通常被用作负载开关、LED驱动控制、电源管理单元中的通断元件,以及信号路径选择开关等场合。

参数

型号:UMX4NTR
  类型:N沟道MOSFET
  封装/包装:SOT750 (DFN1006-3)
  通道数:单通道
  漏源电压(VDSS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):800mA @ 25°C
  脉冲漏极电流(ID_pulse):2.4A
  导通电阻(RDS(on)):300mΩ @ VGS=4.5V
  导通电阻(RDS(on)):350mΩ @ VGS=2.5V
  导通电阻(RDS(on)):400mΩ @ VGS=1.8V
  栅极阈值电压(Vth):0.6V ~ 1.0V
  输入电容(Ciss):29pF @ VDS=10V
  反向传输电容(Crss):4.5pF @ VDS=10V
  输出电容(Coss):25pF @ VDS=10V
  开启延迟时间(Td(on)):3ns
  关断延迟时间(Td(off)):8ns
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  热阻抗(Junction-to-Ambient, RthJA):350K/W
  热阻抗(Junction-to-Case, RthJC):140K/W

特性

UMX4NTR的核心优势在于其超小型DFN1006-3封装,尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.45mm,极大节省了PCB布局空间,特别适合高密度集成的移动终端产品。这种封装还具备较低的引线电感和优良的热传导能力,有助于提升高频开关性能并防止局部过热。该MOSFET的低RDS(on)特性使其在导通状态下功率损耗最小化,从而减少发热并延长电池寿命。例如,在VGS=4.5V时,其典型RDS(on)仅为300mΩ,足以支持高达800mA的连续漏极电流,满足大多数低功率开关需求。
  该器件的栅极驱动电压兼容性广泛,可在1.8V至4.5V范围内实现有效导通,尤其适用于现代低压数字控制器输出直接驱动,无需额外升压电路。其栅极阈值电压典型值约为0.8V,确保在低电平信号下也能可靠启动。输入电容仅29pF,配合较小的Crss和Coss值,显著降低了驱动所需的动态功耗,并提升了开关响应速度,适用于高达数MHz频率的开关操作。此外,快速的开启和关断延迟时间(分别为3ns和8ns)保证了高效的能量转换和精确的时序控制。
  UMX4NTR具备良好的抗静电能力(HBM ESD rating >2kV),增强了生产装配过程中的鲁棒性。它还通过AEC-Q101认证,意味着其在极端温度、湿度和机械应力条件下仍能保持稳定性能,适用于车载传感器、信息娱乐系统电源管理等严苛应用场景。器件的结温范围达-55°C至+150°C,支持高温环境下的长期运行。综合来看,UMX4NTR是一款兼顾小型化、高效能与高可靠性的先进小信号MOSFET解决方案。

应用

UMX4NTR广泛应用于各类便携式电子产品中,作为高效的开关元件使用。典型应用包括智能手机和平板电脑中的背光LED驱动开关、摄像头模组电源控制、SIM卡或存储卡插槽的电源切换管理,以及各种传感器模块的上电时序控制。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中,该器件可用于电池供电路径的节能型负载开关,实现按需供电以降低静态功耗。
  在物联网(IoT)节点设备中,UMX4NTR常用于无线收发模块(如蓝牙LE、Wi-Fi或ZigBee芯片)的电源门控,帮助系统进入深度睡眠模式时切断外设供电,从而显著延长续航时间。此外,它也可用于音频路径选择开关、耳机检测电路或麦克风偏置电源控制等功能模块。
  在工业与汽车电子领域,由于其通过AEC-Q101认证且具备宽温工作能力,UMX4NTR可用于车身控制模块中的小功率执行器驱动、车内照明调光电路或车载信息采集系统的信号通断控制。其微型封装也使其成为汽车摄像头模组或雷达传感器内部电源管理的理想选择。总体而言,任何需要低电压、低电流、高速开关且空间受限的应用场景,都是UMX4NTR的适用领域。

替代型号

DMG2304U

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UMX4NTR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 4mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)56 @ 10mA,10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换1.5GHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)