类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：100 mA
　　最大漏源电压 (VDS)：20 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±12 V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 1.3Ω @ VGS = 4.5V
　　功率耗散 (PD)：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-723 或 SOT-523

UMX1N X1 MOSFET 具备多项优良特性，使其在低功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻 RDS(on) 确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　其次，该器件支持较高的栅源电压（±12V），允许在更宽的控制电压范围内稳定工作，同时具备良好的抗干扰能力。
　　此外，UMX1N X1 采用小型封装，适合在空间受限的便携式设备中使用，如智能手机、可穿戴设备、小型传感器模块等。
　　其低功耗特性和高热稳定性也使其在高温环境下仍能保持可靠的性能，适用于工业级温度范围内的各种应用。
　　最后，该 MOSFET 的快速开关特性有助于减少开关损耗，提升在高频应用中的表现。

UMX1N X1 主要应用于低功耗电子设备中的功率控制和管理电路。
　　常见用途包括：便携式电子设备中的负载开关、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统、LED 驱动电路、电源多路复用器、逻辑控制的电源开关等。
　　此外，由于其封装小巧和低功耗特性，它也广泛用于物联网（IoT）设备、智能家居控制器、可穿戴设备、传感器节点等新兴领域。
　　在工业自动化系统中，UMX1N X1 可用于微功率控制电路和小型继电器替代方案，实现更高效、更紧凑的系统设计。

RNX1N, 2N7002, BSS138, FDV301N