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UMX13NTR 发布时间 时间:2025/6/12 6:57:45 查看 阅读:25

UMX13NTR 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中,用于开关和放大功能。该器件采用小尺寸表面贴装封装,适合高密度电路设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
  这款 MOSFET 通常被用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用场合,能够提供高效的功率转换和可靠的性能。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:60V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  连续漏极电流 Id:13A
  导通电阻 Rds(on):45mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗 Ptot:1.8W
  结温范围 Tj:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

UMX13NTR 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。此外,其快速的开关能力和高输入阻抗使得该器件非常适合高频开关应用。
  它还具备出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。同时,由于采用了 SOT-23 封装,这种 MOSFET 非常适合于需要节省空间的设计场景。
  此外,该器件具有较高的雪崩击穿能力,能够在短时间过载情况下保护电路不受损害。

应用

UMX13NTR 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电池管理系统 (BMS)
  4. 电机控制与驱动
  5. 负载开关
  6. 过流保护电路
  7. 手机和平板电脑中的小型化电路
  8. 其他便携式电子设备的电源管理模块

替代型号

STP13NF06L
  IRF7413
  FDP15N60E

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