UMX13NTR 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中,用于开关和放大功能。该器件采用小尺寸表面贴装封装,适合高密度电路设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。
这款 MOSFET 通常被用于电源管理、电机驱动、负载开关等应用场合,能够提供高效的功率转换和可靠的性能。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds:60V
最大栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:13A
导通电阻 Rds(on):45mΩ(在 Vgs=10V 时)
总功耗 Ptot:1.8W
结温范围 Tj:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
UMX13NTR 的主要特性包括低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高效率。此外,其快速的开关能力和高输入阻抗使得该器件非常适合高频开关应用。
它还具备出色的热稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。同时,由于采用了 SOT-23 封装,这种 MOSFET 非常适合于需要节省空间的设计场景。
此外,该器件具有较高的雪崩击穿能力,能够在短时间过载情况下保护电路不受损害。
UMX13NTR 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 电机控制与驱动
5. 负载开关
6. 过流保护电路
7. 手机和平板电脑中的小型化电路
8. 其他便携式电子设备的电源管理模块
STP13NF06L
IRF7413
FDP15N60E