UMX11NTR 时间：2025/6/26 14:50:43 阅读：4

UMX11NTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等需要高效功率控制的场景。其设计特点包括低导通电阻、高切换速度和出色的热性能，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理应用。
　　UMX11NTR 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，这种封装提供了良好的散热性能，并且适合表面贴装技术（SMT）工艺，简化了生产流程。

参数

最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：9.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　总功耗（Ptot）：1.8W
　　结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

UMX11NTR 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高切换速度，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。
　　3. 提供卓越的热稳定性，确保在高温环境下仍能可靠运行。
　　4. 小型化封装 TO-252，节省 PCB 空间并支持自动化装配。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 内置静电保护功能，增强了器件的可靠性。

应用

UMX11NTR 被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. 电机驱动器中的功率级控制。
　　3. 各种负载开关和保护电路。
　　4. LED 驱动器中的电流调节。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 消费类电子产品的电池管理系统（BMS）。