型号：UMX1 N TN
　　制造商：Nexperia
　　产品类型：肖特基势垒二极管
　　是否无铅：是
　　封装/外壳：SOD-323 (SC-76)
　　极性：单芯片二极管
　　配置：单体
　　最大重复峰值反向电压 (VRRM)：70 V
　　最大直流阻断电压 (VR)：70 V
　　最大正向平均电流 (IF(AV))：300 mA
　　最大峰值正向浪涌电流 (IFSM)：500 mA（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压 (VF)：@ IF = 100mA 时典型值为 0.39 V，最大值为 0.5 V
　　最大反向漏电流 (IR)：@ VR = 70V, TA=25°C 时最大为 5 μA；高温下可能上升至50 μA
　　反向恢复时间 (trr)：典型值小于 1 ns（实际受测试条件限制，通常视为准瞬态响应）
　　工作结温范围 (Tj)：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-65°C 至 +150°C
　　热阻 (Rth(j-a))：约 450 K/W（自由空气环境）

UMX1 N TN的核心优势在于其低正向导通压降与极快的开关速度，这使其在能量转换效率敏感的应用中表现出色。由于采用肖特基势垒结构而非PN结，其载流子输运机制主要依赖多数载流子，因此不存在少数载流子储存效应，从而显著缩短了反向恢复时间，理论上可达到亚纳秒级别。这一特性使得该二极管非常适合用于高频整流场合，例如开关电源中的续流或箝位功能，能有效减少开关损耗并抑制电压尖峰。此外，低VF意味着在相同电流条件下功耗更低，有助于提升系统整体能效，尤其适用于电池供电设备如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴装置等。
　　该器件具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能维持较低的反向漏电流水平，尽管随着结温升高，漏电流会有所增加，但在正常工作范围内仍处于可控状态。其70V的反向耐压能力覆盖了大多数低压直流系统的应用场景，包括12V、24V甚至48V工业控制总线系统。同时，300mA的平均整流电流能力足以应对中小功率信号处理需求，如逻辑电平转换、信号隔离和防反接保护电路。
　　SOD-323封装不仅节省PCB空间，还具备优良的焊接可靠性和散热性能，适用于回流焊工艺。器件本体采用模塑环氧树脂封装，提供良好的机械强度和防潮能力，确保在复杂环境下的长期运行稳定性。Nexperia对该系列产品执行严格的品质管控，符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分认证要求，也可用于汽车电子中的非关键性模块。整体而言，UMX1 N TN是一款性价比高、通用性强的小信号肖特基二极管，兼顾电气性能与物理紧凑性，是现代电子设计中理想的分立元件选择之一。

UMX1 N TN广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高效能、小尺寸和高频率响应的场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，例如在USB接口、锂电池充放电回路中作为防反接或隔离二极管使用，防止电流倒灌损坏主控芯片。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流以外的辅助续流二极管，帮助释放电感储能，提高转换效率。此外，在高频信号处理电路中，该器件可用于包络检波、信号箝位和过压保护，因其快速响应能力能够有效捕捉瞬态变化。
　　在通信设备中，UMX1 N TN可用于射频前端的小信号整流或混频应用，特别是在低功率无线模块（如Wi-Fi、Zigbee、LoRa）中实现简单的能量采集或信号检测功能。工业控制系统中，该二极管可用于PLC输入输出模块的信号隔离与极性保护，确保现场传感器或执行器接入时不会因接线错误导致系统损坏。汽车电子方面，尽管其未全面通过完整车规认证，但仍可用于车载娱乐系统、照明控制单元或辅助电源模块中，承担基本的整流和保护任务。
　　另外，由于其封装小巧且易于贴装，该器件也常出现在高密度多层板设计中，如智能手机主板、智能手表电路板以及微型传感器模组中，用于局部电源切换或ESD防护辅助路径。在物联网节点设备中，UMX1 N TN可用于能量 harvesting 电路，将微弱交流信号整流为可用直流电压，延长电池寿命或实现无源运行。总之，其应用涵盖消费电子、工业自动化、通信基础设施、汽车电子及新兴的智能硬件领域，是一款高度通用且可靠的分立半导体器件。

PMEM3110AE,115
　　BAS40-04W,115
　　BAT54C
　　RB520S-40
　　RS1EL60ATFX