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UMW10TR 发布时间 时间:2025/7/16 16:36:39 查看 阅读:27

UMW10TR 是一款高性能的功率 MOSFET,采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源转换应用。其设计旨在优化开关损耗和导通损耗之间的平衡,从而提高系统效率。
  UMW10TR 的主要特点包括高电流处理能力、出色的热性能以及增强的静电放电(ESD)保护功能,使其能够适应严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:17nC
  开关时间:典型值为 12ns
  封装类型:TO-252

特性

UMW10TR 是一种 N 沦道功率 MOSFET,专为高频开关应用而设计。其低导通电阻可以显著减少传导损耗,同时快速的开关速度有助于降低开关损耗。
  此外,该器件具备优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长期运行。其小型化封装也使得它非常适合空间受限的设计。
  该产品还具有较低的输入和输出电容,进一步提升了整体效率并减少了电磁干扰(EMI)。通过优化芯片结构和制造工艺,UMW10TR 在同类产品中表现出卓越的性能。

应用

UMW10TR 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动器以及电池保护电路等场景。
  在消费电子领域,它常被用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和 LED 照明驱动中。
  工业应用方面,此 MOSFET 可用于太阳能微型逆变器、不间断电源(UPS)系统及各类高效能功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5802
  STP10NK60Z