时间：2025/10/6 17:29:42
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UMW0J221MDD是一款由UniMicron Technology Corporation（景硕科技）生产的多层陶瓷电容（MLCC），属于表面贴装型被动元件，广泛应用于各类电子设备中。该电容器具有高电容值、小尺寸封装和良好的高频特性，适用于去耦、滤波、旁路和储能等多种电路功能。其标称电容值为220μF，额定电压为6.3V DC，采用0805（2012公制）封装尺寸，适合在空间受限的高密度PCB布局中使用。该器件采用先进的叠层工艺制造，具备低等效串联电阻（ESR）和优良的温度稳定性，能够在-55°C至+105°C的工作温度范围内稳定运行。UMW0J221MDD属于高容量钽聚合物电容或导电聚合物铝电解电容类别，具体材料体系可能基于导电聚合物阴极技术，以实现低ESR和高纹波电流承受能力。该产品符合RoHS环保标准，无铅且兼容现代回流焊工艺。由于其出色的电气性能和可靠性，UMW0J221MDD常用于移动通信设备、便携式消费电子产品、电源管理模块以及FPGA、ASIC等复杂IC的供电网络去耦设计中。
电容值：220μF
额定电压：6.3V DC
容差：±20%
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
工作温度范围：-55°C 至 +105°C
温度特性：X5R 或类似
等效串联电阻（ESR）：典型值约15mΩ
寿命：在额定电压与105°C环境下可达2000小时以上
安装类型：表面贴装（SMD）
介质材料：陶瓷/导电聚合物复合体系（具体依厂商定义）
直流偏压特性：随电压增加电容值略有下降
老化率：符合X5R标准，≤2.5%每 decade
包装形式：卷带编装，适用于自动化贴片生产
UMW0J221MDD具备卓越的低等效串联电阻（ESR）性能，这使其在高频开关电源环境中表现出色，能够有效抑制电压波动并提升电源系统的稳定性。由于采用了先进的导电聚合物或高介电常数陶瓷材料技术，该电容器在保持小型化的同时实现了较高的电容密度，解决了传统电解电容体积大、寿命短的问题。其低ESR特性还意味着在通过较大纹波电流时发热更少，提高了整体系统能效和长期运行可靠性。
该器件具有优异的温度稳定性，在-55°C到+105°C的宽温范围内电容值变化较小，满足工业级和汽车电子应用的基本要求。特别是在高温环境下，相较于普通铝电解电容，UMW0J221MDD不易出现干涸失效，寿命显著延长。此外，该电容对直流偏压的敏感度相对较低，在接近额定电压工作时仍能维持大部分标称电容值，这对于低压大电流供电系统尤为重要。
结构上，UMW0J221MDD采用多层堆叠设计，增强了机械强度并减少了寄生电感，有利于提高自谐振频率，扩展可用频段。其端电极通常采用镍阻挡层和锡覆盖层结构，确保良好的可焊性和抗迁移能力，适合无铅回流焊接工艺，并能在多次热循环后保持连接可靠性。同时，该器件具备较强的抗振动和冲击能力，适用于便携式设备和车载电子系统。
从环保和可持续制造角度看，UMW0J221MDD符合RoHS和REACH指令要求，不含有害重金属物质，支持绿色电子产品设计。其生产过程遵循严格的品质控制流程，批次一致性好，适合大规模自动化生产使用。虽然其成本高于普通陶瓷电容，但综合性能优势明显，特别适合对空间、效率和可靠性有严苛要求的应用场景。
UMW0J221MDD主要用于需要高电容密度和低ESR的电源去耦场合，常见于智能手机、平板电脑、超薄笔记本等便携式消费类电子产品中，作为处理器、内存和射频模块的本地滤波电容。在这些设备中，它负责平滑DC-DC转换器输出的纹波电压，提供瞬态电流响应，防止因负载突变引起的电压跌落。
在电源管理系统中，该电容可用于LDO稳压器输入输出端、开关电源（Buck/Boost）的输入滤波和输出储能环节，有助于提升电源转换效率和动态响应速度。此外，在FPGA、SoC、GPU等高性能集成电路的供电网络（PDN）设计中，UMW0J221MDD常与其他小容值陶瓷电容并联使用，形成宽频去耦网络，覆盖从低频到高频的噪声抑制需求。
该器件也适用于工业控制板、医疗电子设备和汽车信息娱乐系统等中高端电子平台。在汽车电子中，尽管其非AEC-Q200认证版本可能不直接用于动力总成，但仍可用于车身电子模块如仪表盘、ADAS传感器供电单元等对可靠性有一定要求但非极端环境的区域。
另外，由于其良好的高频特性和稳定性，UMW0J221MDD还可用于模拟信号链中的耦合与旁路电路，尤其是在低噪声放大器、ADC/DAC参考电压缓冲等敏感节点，帮助减少电源噪声对信号质量的影响。
GRM21BR61A227ME44L
CL21A227MLQNNNE
TCJA227M006R0100
