时间：2025/10/6 18:09:21
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UMW0G101MDD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件采用先进的碳化硅半导体技术制造，具有出色的高温工作能力、快速开关性能以及低导通损耗，适用于高效率和高功率密度的电源转换系统。作为一款650V额定电压的肖特基二极管，UMW0G101MDD在反向电压耐受能力和正向电流承载方面表现出色，广泛应用于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源（UPS）等场合。其无反向恢复电荷（Zero Recovery Charge）特性使其在高频开关电路中显著降低开关损耗，提升系统整体效率。此外，该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，便于自动化生产，并具备良好的热传导性能，有助于在紧凑设计中实现高效散热。UMW0G101MDD不含有PN结，因此不存在少数载流子存储效应，从根本上消除了传统硅基PIN二极管在关断过程中产生的反向恢复电流问题，从而减少了电磁干扰（EMI）并提高了系统的可靠性。
类型：碳化硅肖特基二极管
反向重复电压（VRRM）：650V
平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
最大正向压降（VF）：1.7V @ 1A, TJ=25°C
漏电流（IR）：≤ 10μA @ 650V, TJ=25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (D-Pak)
安装方式：表面贴装型
反向恢复时间（trr）：典型值为0ns（无恢复电荷）
热阻结到外壳（RθJC）：约50°C/W
UMW0G101MDD的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电气性能。首先，由于采用了宽禁带半导体材料——碳化硅，该二极管能够在高达175°C的结温下稳定运行，远高于传统硅二极管的150°C限制，这使得它非常适合在高温环境下工作的电力电子设备，如车载充电机或密闭空间内的高功率电源模块。其次，该器件不具备少数载流子注入机制，因此在关断时不会产生反向恢复电荷（Qrr = 0），避免了因反向恢复引起的尖峰电流和电压振荡，有效降低了开关过程中的能量损耗和电磁噪声。这一特性对于使用图腾柱PFC、LLC谐振转换器等高频拓扑结构的应用尤为重要。
此外，UMW0G101MDD在正向导通状态下展现出较低的压降，在1A电流条件下典型值仅为1.45V，最大不超过1.7V，这意味着即使在持续负载下也能保持较低的导通功耗，提升整体能效。同时，其极快的开关响应速度（理论上瞬时关断）支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率操作，有助于减小磁性元件和滤波电容的体积，实现更高功率密度的设计目标。从可靠性角度看，碳化硅材料本身具有更高的临界电场强度和热导率，能够承受更严苛的电压应力和热循环冲击，延长产品寿命。TO-252封装形式不仅兼容标准SMT工艺，还通过底部金属焊盘提供良好的热路径，配合PCB上的散热焊盘可进一步优化热管理。总体而言，UMW0G101MDD结合了高性能、高可靠性和易于集成的特点，是现代高效电源系统中理想的续流或整流器件选择。
UMW0G101MDD因其优异的高频、高效率和高温工作能力，被广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。常见用途包括但不限于：在功率因数校正（PFC）级电路中作为升压二极管，特别是在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）PFC拓扑中替代传统超快恢复二极管，以消除反向恢复损耗并提升系统效率；在桥式整流电路中用于交流输入端的高压整流，尤其适合小型化AC-DC适配器和工业控制电源；在DC-DC转换器中作为输出整流二极管或同步整流辅助元件，用于降低传导损耗；在太阳能微型逆变器和光伏优化器中实现高效的能量提取与防逆流保护；在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩内部的辅助电源及主功率回路中承担整流任务；在服务器电源和通信电源等对效率和散热要求极高的应用场景中替代硅基器件以满足80 PLUS钛金等高能效标准。此外，该器件也适用于高频感应加热、医疗电源、LED驱动电源以及UPS不间断电源中的整流环节。得益于其表面贴装封装形式，UMW0G101MDD特别适合自动化批量生产，适用于追求小型化、轻量化和高可靠性的现代电子产品设计。
UF3G101MDD
UD3G101MDD
C4D10120D
